中國粉體網(wǎng)訊  碳化硅有多火,，就不必多說了,。

碳化硅襯底技術(shù)壁壘高，為價值鏈條核心環(huán)節(jié),。碳化硅器件價值量存在倒掛,，其成本主要集中在襯底和外延,，根據(jù)CASA數(shù)據(jù),，兩者占成本比例合計70%。其中,，襯底制造技術(shù)壁壘最高,，成本占比高達47%，是最核心環(huán)節(jié),。

SiC生產(chǎn)工藝流程

資料來源：瀚天天成招股說明書(申報稿),、天風證券研究所

“內(nèi)卷”的盡頭是價格戰(zhàn)

2023年，國內(nèi)碳化硅襯底行業(yè)涌入大量的玩家,，眾多項目在全國各地落地,，產(chǎn)能擴張達到空前規(guī)模。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,，2023年國內(nèi)碳化硅襯底的折合6英寸銷量已超過100萬片,，許多廠商的產(chǎn)能爬坡速度超過預期。據(jù)估算,，我國2023年的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能占全球產(chǎn)能的42%,，預計到2026年我國6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能將占全球產(chǎn)能的50%左右。

SiC晶圓,，來源：Wolfspeed

很明顯,，2023年以來SiC晶圓的技術(shù)和產(chǎn)能變化很大、很快,，這也是內(nèi)卷結(jié)果,。

但隨著全球6英寸SiC片產(chǎn)能釋放，加之電動汽車需求暫緩,，這給2024年碳化硅片價格帶來下行壓力,。

2024年5月9日,，山東天岳在一份投資者關(guān)系報告中強調(diào)了價格下跌的兩個內(nèi)部原因：技術(shù)進步和規(guī)模效應，這兩個因素降低了硅片成本,；天津理工大學功能晶體研究院徐永寬副院長也提到“碳化硅單晶生長工藝肯定是向著低成本化,、高效率化方向發(fā)展，首先從價格上未來6英寸碳化硅襯底的售價有希望降低到1000元人民幣以下,，應用場景及市場規(guī)模會非常巨大,。”

自2024年初開始,，產(chǎn)能過剩導致國內(nèi)碳化硅(SiC)襯底價格不斷下跌,。據(jù)業(yè)內(nèi)人士披露，2024年初國內(nèi)碳化硅產(chǎn)品報價已經(jīng)比國際市場低三成,，隨著國內(nèi)供應廠商同業(yè)競爭加劇,，2024年第二季度國內(nèi)碳化硅產(chǎn)品報價持續(xù)回落。隨著電動汽車市場需求的疲軟,，碳化硅襯底需求也有所縮減,，供應廠商們?yōu)榱藫寠Z訂單，不斷降低價格,。2024年第二季度碳化硅襯底產(chǎn)能不斷上線,，國內(nèi)廠商報價已降至每個碳化硅襯底500美元以下，比大多數(shù)國際供應商低四成左右,。如果客單量夠大的話,，國內(nèi)廠商愿意進一步降低價格。

整體來講,，襯底價格下降是一種必然趨勢,。正如晶升股份所言，隨著市場空間的擴大以及良率水平的提升,，會不可避免地在市場競爭過程中出現(xiàn)價格的調(diào)整,。這在短期內(nèi)會對行業(yè)相關(guān)企業(yè)造成一些壓力，但良率的提升和價格的下浮對整個產(chǎn)業(yè)鏈利大于弊,，成本的下降將推動更多下游應用的涌現(xiàn),，從而使得行業(yè)整體保持一個良好的增長速度。

這也意味著,，下一波“團戰(zhàn)”：技術(shù),、良率、價格將會成為競爭的關(guān)鍵,。但內(nèi)卷的盡頭是開始打價格,，那誰也吃不上“這碗飯”。

顯然，SiC從6英寸轉(zhuǎn)8英寸也是行業(yè)共識,。

國內(nèi)廠商持續(xù)向“8英寸”進擊,。目前全球已有29家碳化硅企業(yè)實現(xiàn)8英寸碳化硅單晶生長的突破，中國就有19家,，部分國內(nèi)廠商正在逐步釋放8英寸碳化硅產(chǎn)能,，但要實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)還需一段時間。

國外8英寸產(chǎn)能釋放,。近期,，意法半導體宣布投資近400億新建一座8英寸SiC全產(chǎn)業(yè)鏈工廠，年產(chǎn)能高達72萬片,；同時,，三菱電機也公布旗下8英寸SiC工廠將提前投產(chǎn)，時間將從2026年4月提前至2025年11月,，該廠將主要負責8英寸SiC的前端工藝,；韓國也緊跟步伐，據(jù)韓媒報道,，韓國首座8英寸SiC功率半導體工廠于6月5日舉行了奠基儀式,。該工廠將在釜山建成，所屬企業(yè)的8英寸SiC晶圓產(chǎn)能為14.4萬片/年,，投產(chǎn)時間預計為2025年9月,。

往往細節(jié)決定成敗

對于當前階段的中國碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)來講,，如何降低成本,、穩(wěn)定質(zhì)量、提升良率,，是大規(guī)模應用落地的關(guān)鍵,。

技術(shù)方面，科友半導體成功制備出多顆中心厚度超過80mm,，薄點厚度超過60mm的導電型6英寸碳化硅單晶,，這也是國內(nèi)首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠毛坯，厚度是目前業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍,，單片成本較原來降低70%,。今年2月，中宜創(chuàng)芯實驗室成功生長出河南省第一塊8英寸SiC單晶晶錠,，驗證了中宜創(chuàng)芯SiC半導體粉體在長晶方面的優(yōu)勢,。

原材料方面，中宜創(chuàng)芯SiC半導體粉體500噸生產(chǎn)線成功達產(chǎn),，產(chǎn)品純度最高達到99.99999%,，已在國內(nèi)二十多家企業(yè)和研究機構(gòu)開展試用和驗證。

晶片加工方面，碳化硅襯底難加工的材料特性疊加其大尺寸化,、超薄化的放大效應,，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)。全球碳化硅制造加工技術(shù)和產(chǎn)業(yè)尚未成熟,，在一定程度上限制了碳化硅器件市場的發(fā)展,，要充分實現(xiàn)碳化硅襯底的優(yōu)異性能，開發(fā)高表面質(zhì)量碳化硅晶片加工技術(shù)是關(guān)鍵所在,。

近期,，國內(nèi)碳化硅行業(yè)龍頭企業(yè)和精細磨拋企業(yè)中機新材的聯(lián)動也表明，在SiC晶圓的制造流程中,，切磨和拋光技術(shù)的精湛程度對晶圓的表面質(zhì)量及其實用性起著決定性的作用,。因此，SiC晶圓切磨拋過程中所使用的耗材在襯底生產(chǎn)的整個環(huán)節(jié)中占據(jù)了舉足輕重的地位,。

來源：中機新材

實際上,，目前來看，碳化硅襯底制造環(huán)節(jié)中,，原材料,、長晶技術(shù)、高溫工藝等環(huán)節(jié)多受關(guān)注,。從上面也可看出在技術(shù)及原料方面,，碳化硅襯底多有突破，而晶片加工環(huán)節(jié)相當于碳化硅襯底片的成品“守門員”,，這一步做不好,，永遠生產(chǎn)不了一片合格且完美的碳化硅襯底片。未來,，隨著長晶技術(shù)逐步成熟,，晶片加工環(huán)節(jié)中較低的良品率以及加工效率也是重點關(guān)注的問題。想把“攤子”做大,，必然要考慮周全,。

小結(jié)

根據(jù)Emergen Research預測，在2023-2032年碳化硅市場將保持約11.6%的年均增長率,。到2032年,，市場規(guī)模預測將達到91.8億美元。

來源：Emergen Research

從市場來看,，雖然襯底價格出現(xiàn)波動,，但在汽車、光伏及儲能等新興行業(yè)對SiC的需求仍然旺盛,。從近期碳化硅行業(yè)的動向來看,，國內(nèi)SiC產(chǎn)業(yè)持續(xù)繁榮,，技術(shù)難題逐漸攻破，在8英寸碳化硅上,，國內(nèi)與國際差距逐漸縮小,。

可見，內(nèi)卷的碳化硅,，最終卷到襯底總價格將會不斷下調(diào)的局面,，這未嘗不是一件好事。但一味盯著價格,，必然不利于行業(yè)發(fā)展,，將來卷必然要卷到點上，卷良率,、卷成本,，方能落實規(guī)模化,、產(chǎn)業(yè)化,。

來源：

半導體行業(yè)觀察：SiC市場，波瀾四起

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（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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