中國粉體網(wǎng)訊  5月29日,，科友半導(dǎo)體碳化硅晶體生長車間傳來捷報，自主研發(fā)的電阻長晶爐再次實現(xiàn)突破,，成功制備出多顆中心厚度超過80mm,，薄點厚度超過60mm的導(dǎo)電型6英寸碳化硅單晶，這也是國內(nèi)首次報道和展示厚度超過60mm的碳化硅原生錠毛坯,，厚度是目前業(yè)內(nèi)主流晶體厚度的3倍,，單片成本較原來降低70%，有效提高企業(yè)盈利能力,。此批次晶體呈現(xiàn)出微凸的形貌，表面光滑無明顯缺陷,。

中心厚度超過80mm,，最低厚度超62mm的6英寸碳化硅單晶

據(jù)介紹，科友半導(dǎo)體基于自研電阻爐,，通過借鑒溶液法的部分理念,，破除了溶液法才能生長高厚度晶體的限制，充分利用了PVT法單晶穩(wěn)定生長的優(yōu)勢,，將兩種制備方法的優(yōu)勢成功結(jié)合到一起,。大厚度晶體的成功制備標(biāo)志著科友半導(dǎo)體突破了大厚度碳化硅單晶生長的關(guān)鍵技術(shù)難題，向大尺寸碳化硅襯底低成本量產(chǎn)邁出了堅實一步,，進(jìn)一步彰顯出電阻加熱式長晶爐在替代傳統(tǒng)感應(yīng)爐,、推動襯底成本持續(xù)降低方面的巨大潛力。

同時,，科友半導(dǎo)體基于先進(jìn)的熱場設(shè)計實現(xiàn)了適宜的溫度梯度,，有效削弱了生長室內(nèi)的軸向溫度梯度與徑向溫度梯度之間的耦合效應(yīng)，實現(xiàn)了均勻溫場條件下的軸向溫度梯度改善,，獲得了平微凸形貌的單晶生長,，大幅減少了單晶內(nèi)部應(yīng)力以及因應(yīng)力引起的缺陷增殖。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

注：圖片非商業(yè)用途,，存在侵權(quán)告知刪除