中國粉體網(wǎng)訊  據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心官微消息,，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室的研究人員們經(jīng)過近兩年的努力,，首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶,！

若要將碳化硅單晶厚度顯著提升，必須解決晶體的溫度梯度和應(yīng)力控制等難題,。為了解決難題,，聯(lián)合實驗室開展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長超厚碳化硅單晶的研究。

（a）提拉式物理氣相傳輸法生長半導(dǎo)體碳化硅（SiC）單晶的示意圖,；（b）100 mm厚半導(dǎo)體SiC單晶,。

“我們通過提拉籽晶及已經(jīng)生長的晶體，使晶體生長面始終處于一個合適的徑向溫度梯度下,，形成有利于降低晶體應(yīng)力的表面形態(tài),。同時維持晶體生長面與粉料之間的合適軸向溫度梯度，防止隨著晶體厚度的增加,，晶體生長速率大幅下降,。”徐嶺茂研究員解釋道,。

采用提拉式物理氣相傳輸法,，聯(lián)合實驗室成功生長出直徑為6英寸（即150 mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100 mm,。測試加工而得的襯底片的結(jié)果顯示,，該超厚碳化硅單晶具有單一的4H晶型（圖2a）、結(jié)晶質(zhì)量良好（圖2b）,，電阻率平均值不超過～ 30 mΩ·cm,。目前研究團隊已就相關(guān)工作申請了2項發(fā)明專利。

（a）拉曼散射光譜,；（b）(0004)面的X射線搖擺曲線,。

另外，也據(jù)浙大杭州科創(chuàng)中心官微消息,，4月24日,，杭州市創(chuàng)業(yè)投資協(xié)會聯(lián)合微鏈共同發(fā)布了《2024杭州獨角獸&準(zhǔn)獨角獸企業(yè)榜單》。浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）首批自主孵育的科學(xué)公司杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司被認(rèn)定為“杭州準(zhǔn)獨角獸企業(yè)”,！

成立3年來,，乾晶半導(dǎo)體圍繞半導(dǎo)體碳化硅材料的應(yīng)用研究和成果轉(zhuǎn)化，實現(xiàn)了關(guān)鍵核心技術(shù)的重大進展并成功開啟產(chǎn)業(yè)化進程,，是集半導(dǎo)體碳化硅單晶生長,、晶片加工和設(shè)備開發(fā)為一體的高新技術(shù)企業(yè)。

公司的核心團隊來自硅及先進半導(dǎo)體材料全國重點實驗室,，并與科創(chuàng)中心先進半導(dǎo)體研究院成立聯(lián)合實驗室,，共同推動碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化任務(wù)，助力我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,。

去年10月,，乾晶半導(dǎo)體中試線主廠房結(jié)頂。今年，6/8英寸碳化硅單晶生長和襯底加工的中試基地將正式運行,，為今后實現(xiàn)6-8寸碳化硅襯底批量供給能力奠定堅實的基礎(chǔ),。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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