中國粉體網(wǎng)訊  眾所周知，氮化硅陶瓷被譽為“先進(jìn)陶瓷材料皇冠上的明珠”,，是結(jié)構(gòu)陶瓷家族中綜合性能最為優(yōu)良的一類材料,。隨著第三代半導(dǎo)體的大力發(fā)展，SiC功率器件集成度和功率密度的明顯提高,，相應(yīng)工作產(chǎn)生的熱量急劇增加,。因此，電子封裝系統(tǒng)的散熱問題已成為影響其性能和壽命的關(guān)鍵,，要有效解決器件的散熱問題,，必須選擇高導(dǎo)熱的基板材料。

Si₃N₄陶瓷憑借優(yōu)異的性能成為SiC功率器件導(dǎo)熱基板材料首選,。原因在于：

第一,，Si₃N₄陶瓷是綜合性能最好的陶瓷基板材料，熱導(dǎo)率可達(dá)90～120W/(m·k),，熱膨脹系數(shù)為3.2×10^-6/℃,，并具有優(yōu)異的機械強度、良好的化學(xué)穩(wěn)定性和抗熱沖擊性,。

第二,，第盡管Si₃N₄陶瓷基板具有略低于AlN的導(dǎo)熱性，但其抗彎強度,、斷裂韌性都可達(dá)到AlN的２倍以上,。

第三，同時,，Si₃N₄陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近,，使其能夠與SiC晶體材料匹配性更穩(wěn)定。使其能夠與 SiC 晶體材料匹配更穩(wěn)定,，AMB氮化硅基板主要用于電動汽車（EV）和混合動力車（HV）功率半導(dǎo)體,，特別在800V 以上高端新能源汽車中應(yīng)用中不可或缺。

目前,，隨著以SiC為襯底的第三代半導(dǎo)體芯片在新能源汽車,、5G、新能源領(lǐng)域的快速推廣，Si₃N₄陶瓷基板需求也迎來了快速發(fā)展階段,。2024年隨著碳化硅加速從6英寸邁向8英寸,，需求端新能源車+光伏上量與供給端良率突破或?qū)⒂瓉砉舱瘢琒iC有望迎接大規(guī)模放量,，帶動氮化硅陶瓷基板的快速發(fā)展,。

從宏觀數(shù)據(jù)可以看出，日本處于領(lǐng)先地位,，這就導(dǎo)致了氮化硅基片呈極度寡頭壟斷局勢,，同時全球氮化硅基片市場也都由日本主導(dǎo)。由于Si₃N₄基板還需要進(jìn)行覆銅處理及應(yīng)用端考核,，因此國內(nèi)Si₃N₄基板要達(dá)到應(yīng)用化水平還有一段距離,。

目前，中材高新開發(fā)的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板性能達(dá)到日本同類產(chǎn)品,，采用特殊的配方和工藝,，導(dǎo)熱系數(shù)>80W/(m·k)，產(chǎn)品已通過國際頭部企業(yè)質(zhì)量檢測,，2023年建成年產(chǎn)70萬片中試線,。

此外，除了作半導(dǎo)體封裝材料,，氮化硅作為其他半導(dǎo)體零部件如：半導(dǎo)體泵輔用陶瓷球軸承,、加熱器、晶圓轉(zhuǎn)移用精密陶瓷吸盤等也展現(xiàn)出很好的應(yīng)用前景,。

中國粉體網(wǎng)將于2024年4月25日在江蘇蘇州舉辦“第三屆半導(dǎo)體行業(yè)用陶瓷材料技術(shù)研討會暨第三代半導(dǎo)體SiC晶體生長技術(shù)交流會”,，屆時，中材高新材料股份有限公司張偉儒教授將帶來題為《氮化硅陶瓷在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用及發(fā)展重點》的報告,。張教授將針對行業(yè)對氮化硅陶瓷零部件需求,，重點論述了高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板國內(nèi)外研究、產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用進(jìn)展,。

來源：

楊凌艷等：半導(dǎo)體功率器件用氮化硅基片專利技術(shù)專利現(xiàn)狀

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（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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