中國(guó)粉體網(wǎng)訊 據(jù)日經(jīng)新聞消息,,日本富士電機(jī)將在2024~2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元(折合人民幣約100億元)規(guī)模,重點(diǎn)將放在用于純電動(dòng)汽車(EV)電力控制等的功率半導(dǎo)體上,,計(jì)劃在日本國(guó)內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)線,,提高產(chǎn)能。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)異的半導(dǎo)體材料,,與傳統(tǒng)的硅材料相比,,具有更高的硬度和耐久性,能夠承受更高的電壓和更大的電流,。隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅猛增長(zhǎng),,對(duì)功率半導(dǎo)體的需求也在不斷擴(kuò)大。因此,,富士電機(jī)選擇投資這一領(lǐng)域,以抓住不斷擴(kuò)大的市場(chǎng)需求,。在截至2023年度的為期5年的現(xiàn)有中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃中,,富士電機(jī)一直以每年400億日元的速度在半導(dǎo)體領(lǐng)域展開(kāi)投資。從2024年度開(kāi)始的3年新中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃將改為每年700億日元,,加速投資,。
其中,富士電機(jī)將在松本工廠(長(zhǎng)野縣松本市)建設(shè)“光刻前工程”生產(chǎn)線,,將在2027年度以后開(kāi)始生產(chǎn)使用8英寸大型晶圓的碳化硅功率半導(dǎo)體,。富士電機(jī)計(jì)劃從2024年度開(kāi)始在津輕工廠(青森縣五所川原市)量產(chǎn)6英寸碳化硅功率半導(dǎo)體。通過(guò)進(jìn)一步擴(kuò)大晶圓尺寸,,可用一塊晶圓切割的芯片數(shù)量將隨之增加,,有望提高生產(chǎn)效率。
(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)
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