中國(guó)粉體網(wǎng)訊 成本高,，一直是碳化硅器件被吐槽的詬病。因?yàn)樘蓟柙谏a(chǎn)環(huán)節(jié)中存在單晶生產(chǎn)周期長(zhǎng),、環(huán)境要求高,、良率低等問(wèn)題,，碳化硅襯底生產(chǎn)中的長(zhǎng)晶環(huán)節(jié)需要在高溫、真空環(huán)境中進(jìn)行,，對(duì)溫場(chǎng)穩(wěn)定性要求高,，并且其生長(zhǎng)速度比硅材料有數(shù)量級(jí)的差異。因此,，碳化硅襯底生產(chǎn)工藝難度大,，良率不高。
這直接導(dǎo)致了碳化硅襯底存在價(jià)格高,、產(chǎn)能低的問(wèn)題,。
目前，主流碳化硅襯底尺寸為6英寸,，8英寸襯底正在成為行業(yè)重要的技術(shù)演化方向,。根據(jù)中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)2020-2025年國(guó)內(nèi)4英寸SiC晶圓市場(chǎng)逐步從10萬(wàn)片減少至5萬(wàn)片,，6英寸晶圓將從8萬(wàn)片增長(zhǎng)至20萬(wàn)片,；2025-2030年，4英寸晶圓將逐步退出市場(chǎng),，6英寸增加至40萬(wàn)片,。
從技術(shù)進(jìn)展來(lái)看，國(guó)產(chǎn)碳化硅廠商基本以6英寸碳化硅晶圓為主,，而Wolfspeed,、ROHM、英飛凌,、ST等國(guó)際碳化硅大廠已經(jīng)紛紛邁入8英寸,，并將量產(chǎn)節(jié)點(diǎn)提前到今年�,？梢钥闯�,，目前碳化硅襯底市場(chǎng)以海外廠商為主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)份額較小,。雖國(guó)內(nèi)尺寸迭代較海外廠商略慢一籌,，但近年來(lái)發(fā)展提速明顯。
2023年4月,，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通,，并進(jìn)入中試線生產(chǎn)。
近日（6月22日）,，科友半導(dǎo)體宣布,，他們突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸,、厚度,、缺陷控制,、生長(zhǎng)速率、制備成本,、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī),。
8英寸產(chǎn)品展示
尺寸和厚度方面，科友半導(dǎo)體在6英寸晶體厚度超過(guò)40mm的基礎(chǔ)上,，8英寸晶體直徑超過(guò)210mm,，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。
缺陷控制方面,，科友半導(dǎo)體8英寸晶體微管密度＜0.1個(gè)cm-2,，位錯(cuò)缺陷密度＜5000個(gè)cm-2，晶體質(zhì)量處于行業(yè)領(lǐng)先水平,。
生長(zhǎng)速度方面,，科友半導(dǎo)體基于高熱場(chǎng)穩(wěn)定性、高工藝穩(wěn)定性,、和高裝備穩(wěn)定性,，突破了8英寸SiC晶體快速生長(zhǎng)工藝技術(shù)，長(zhǎng)晶速率已達(dá)到170μm/h以上,，長(zhǎng)晶周期約為4-5天,，單臺(tái)長(zhǎng)晶爐設(shè)備每月運(yùn)轉(zhuǎn)約6-7爐次。
產(chǎn)品良率方面,，科友半導(dǎo)體以6英寸晶體為基礎(chǔ),，開(kāi)發(fā)出適合于8英寸SiC穩(wěn)定生長(zhǎng)的工藝技術(shù)，大幅提升了長(zhǎng)晶的穩(wěn)定性,、重現(xiàn)性,。
目前，科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),，8英寸SiC中試線平均長(zhǎng)晶良率已突破50%,，晶體厚度15mm以上，有望打破國(guó)際封鎖,，成為我國(guó)大尺寸低成本碳化硅規(guī)模化量產(chǎn)制造技術(shù)的領(lǐng)跑者,。
來(lái)源：科友半導(dǎo)體,、虎嗅網(wǎng)
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
注：圖片非商業(yè)用途，存在侵權(quán)告知?jiǎng)h除
