中國粉體網(wǎng)訊 碳化硅（SiC）作為重要的第三代半導(dǎo)體材料之一,，在高溫、高頻,、高功率,、抗輻射等方面具有優(yōu)秀的性能。SiC基器件已經(jīng)在軍事,、民事,、航空航天等多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用，是各國科學(xué)技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的重點(diǎn)領(lǐng)域,。SiC襯底晶片作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈的基石有著至關(guān)重要的地位,。
（圖源：天科合達(dá)）
然而，SiC的本身特性決定了其單晶生長難度較大,。這主要是由于在常壓下沒有化學(xué)計(jì)量比為Si:C=1:1的液相存在,，并不能采用目前半導(dǎo)體工業(yè)主流所采用的生長工藝較成熟的生長法——直拉法、降坩堝法等方法進(jìn)行生長,。為了克服這一難題,，科學(xué)家們經(jīng)過不懈努力提出了各種方法以獲得高結(jié)晶質(zhì)量、大尺寸,、廉價(jià)的SiC晶體,。目前比較主流的方法有物理氣相傳輸法（PVT法）、液相法以及高溫氣相化學(xué)沉積法等。
PVT法
物理氣相傳輸法作為發(fā)展最早的SiC晶體生長方法,，是目前生長SiC晶體最為主流的生長方法,。該方法相較其它方法對(duì)生長設(shè)備要求低，生長過程簡單,，可控性強(qiáng),，發(fā)展研究較為透徹，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,。
PVT法生長碳化硅單晶裝置示意圖
該方法是通過控制石墨坩堝外部保溫條件實(shí)現(xiàn)對(duì)軸向與徑向溫場(chǎng)的調(diào)控,。將SiC粉料置于溫度較高的石墨坩堝底端，SiC籽晶固定在溫度較低的石墨坩堝頂,。一般控制粉料與籽晶之間的距離為數(shù)十毫米以避免生長的單晶晶體與粉料接觸,。溫度梯度通常在15-35℃/cm區(qū)間范圍內(nèi),。爐內(nèi)會(huì)保留50-5000 Pa壓強(qiáng)的惰性氣體以便增加對(duì)流,。
在通過感應(yīng)加熱的方法將SiC粉料加熱到2000-2500℃后，SiC粉料會(huì)升華分解為Si,、Si2C,、SiC2等氣相成分，隨著氣體對(duì)流被運(yùn)輸?shù)阶丫Ф�,，并在籽晶上結(jié)晶出SiC晶體,，實(shí)現(xiàn)單晶生長。其典型的生長速率為0.1-2 mm/h,。
經(jīng)過數(shù)十年的不斷努力,，目前PVT法生長SiC襯底晶片的市場(chǎng)已經(jīng)十分巨大，每年SiC襯底晶片產(chǎn)量可達(dá)幾十萬片,，其尺寸正逐步從4英寸換代到6英寸,，并已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC襯底晶片樣品。
液相法
液相法生長SiC晶體由于更接近熱力學(xué)平衡條件,，有望生長出質(zhì)量更好的SiC晶體,。液相法一般采用石墨坩堝，一方面是因?yàn)槠淠透邷�,、抗腐蝕,，另一方面是其可以為晶體生長提供C源。在石墨坩堝中放置硅原料以及一些摻雜物,，由于坩堝壁處的溫度高,，籽晶桿處的溫度低，石墨坩堝中的C溶解后就會(huì)在籽晶處和融化后的Si結(jié)合,，形成碳化硅晶體,。
相對(duì)于PVT法生長碳化硅,，液相法具有位錯(cuò)密度低、易于實(shí)現(xiàn)擴(kuò)徑,、可以獲得P型晶體等優(yōu)點(diǎn),，但是在雜質(zhì)含量控制、過渡元素選擇等方面仍存在一定問題,。
液相法生長碳化硅單晶裝置示意圖
近年來,，日美等高校與公司開展了大量SiC晶體液相法生長的研究，名古屋大學(xué),、東京大學(xué)和豐田、新日鐵住金,、LG等企業(yè)公司相繼投入了大量資金進(jìn)行相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)業(yè)研發(fā)，使得液相法生長SiC晶體技術(shù)不斷推進(jìn),，受到更多的關(guān)注。
目前液相法已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了2英寸SiC單晶的生長,，其生長晶體質(zhì)量與PVT法生長的晶體質(zhì)量相當(dāng)。采用液相法4英寸SiC晶體的研究也在快速推進(jìn)中,。隨著液相法生長SiC晶體技術(shù)的不斷成熟，未來其對(duì)整個(gè)SiC行業(yè)的推進(jìn)將表現(xiàn)出巨大潛力,，很可能是SiC晶體生長的新突破點(diǎn)。
高溫化學(xué)氣相沉積法
HTCVD法生長SiC晶體和PVT法較為相似,，反應(yīng)容器為石墨坩堝,，先驅(qū)體在坩堝底下氣體通道中進(jìn)入石墨坩堝加熱區(qū)，在坩堝頂部裝有籽晶,，氣體在溫度較低的籽晶處沉積生長碳化硅晶體,。
HTCVD法生長SiC晶體示意圖
高溫化學(xué)氣相沉積法反應(yīng)的先驅(qū)氣體一般為硅烷（SiH4）和碳?xì)浠衔铮热鏑2H4和C3H8等,。HTCVD的反應(yīng)溫度一般為2100~2300℃，在加熱區(qū)氣體會(huì)反應(yīng)生成Si以及SiC,，這些反應(yīng)生成的氣體就是SiC晶錠生長的原料,。氣體反應(yīng)區(qū)的溫度要比籽晶處高，溫度梯度保證了質(zhì)量傳輸,，較低的溫度使得氣相在籽晶凝固,。
HTCVD法作為一種采用氣相源供料的生長方法可以很好地控制生長過程中的氣相成分,，保證原料供應(yīng)充足，同時(shí)相比于一般的CVD法具有更高的生長速度,，可達(dá)0.3-0.6 mm/h,，可以滿足塊體SiC晶體生長需要。但是使用氣相原料大大提高了生長成本,。相關(guān)研究的不充分也使得目前生長工藝尚不成熟,，晶體缺陷較高。采用HTCVD法生長SiC晶體依然處于研發(fā)階段,，在未來該方法有望成為一種大尺寸高質(zhì)量SiC晶體的生長方法,。
參考來源：
李鵬程：大尺寸碳化硅單晶生長設(shè)備及溫控方法研究，山東大學(xué)
張澤盛：液相法碳化硅晶體生長及其物性研究,，中國科學(xué)院物理研究所
張浩：物理氣相傳輸法制備碳化硅晶體的工藝研究,，哈爾濱工業(yè)大學(xué)
（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）
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