中國(guó)粉體網(wǎng)訊 氮化鋁屬于典型的第三代半導(dǎo)體材料，它具有特寬禁帶和非常大的激子束縛能,，其中禁帶寬度為6.2eV，屬于直接帶隙半導(dǎo)體,。由于氮化鋁具有多種突出的優(yōu)異物理性能,，如高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率,、電阻率等,，在半導(dǎo)體領(lǐng)域中一直備受關(guān)注，也是半導(dǎo)體領(lǐng)域一直在“征服”的材料,。
氮化鋁的性能特點(diǎn)
AlN是以共價(jià)鍵為主的晶體,，屬于六角晶系類(lèi)金剛石氮化物，其理論密度為3.26g/cm3,，莫氏硬度7~8,，室溫下的強(qiáng)度高，且強(qiáng)度會(huì)隨著溫度的升高下降較慢,。
與其它幾種陶瓷材料相比較,，氮化鋁具有優(yōu)異的綜合性能，尤其是其出色的導(dǎo)熱性能,，非常適用于半導(dǎo)體基片和結(jié)構(gòu)封裝材料,，在電子工業(yè)中的應(yīng)用潛力非常巨大。
氮化鋁的主要性能參數(shù)
在電子器件應(yīng)用中,，散熱是研制器件時(shí)考慮的一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn),，理論上AlN熱導(dǎo)率可達(dá)320W·m-1·K-1，是理想的散熱材料,。AlN粉體純度對(duì)其導(dǎo)熱性能影響很大,，毫不夸張的講，AlN的純度每提高1%，其導(dǎo)熱率可以提高30%,。而高導(dǎo)熱這個(gè)特性對(duì)于AlN來(lái)講,，是優(yōu)勢(shì)更是難點(diǎn)。
AlN的熱導(dǎo)率受原料純度,、燒結(jié)工藝等因素的影響,，在實(shí)際中由于AlN中存在的雜質(zhì)和缺陷使產(chǎn)品的熱導(dǎo)率要低于理論值。在AlN單晶體生長(zhǎng)方面,，原料中的雜質(zhì)(尤其是氧和碳)會(huì)沉積到單晶內(nèi)部并形成各種缺陷,，影響晶體質(zhì)量和性質(zhì)。其中,，氧元素與AlN有很強(qiáng)的親和力,，容易進(jìn)入AlN晶格中形成缺陷，成為降低材料熱導(dǎo)率的主要因素,。這些種種因素,，讓氮化鋁也不易被“征服”。
氮化鋁粉體制備方法
氮化鋁粉體制備技術(shù)可以分為直接氮化法,、碳熱還原法,、自蔓延法、等離子體法,、化學(xué)氣相法,、溶液法和高能球磨法。
氮化鋁粉體制備常用技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比表
在氮化鋁粉體制備中,，碳熱還原法獨(dú)占鰲頭,，占了將近五成的比例，其次是直接氮化法和自蔓延法,，分別為26%和12%,。這三種方法也是實(shí)現(xiàn)了工業(yè)化應(yīng)用的方法。溶液法,、化學(xué)氣相法和等離子體法這三種方法主要用于合成的納米氮化鋁,，難以規(guī)模化生產(chǎn),，目前主要停留在實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段,，在工業(yè)上應(yīng)用尚有一段距離，因此這三種工藝在氮化鋁粉體制備技術(shù)中的占比處于較低的水平,，僅有3%-5%,。高能球磨法合成的氮化鋁粉體產(chǎn)量低，其比例最低僅為1%,，常作為輔助活化手段與其他制備技術(shù)聯(lián)用,。
在氮化鋁粉體制備方面,，國(guó)外企業(yè)一直跑在前列。其中,，日本企業(yè)占據(jù)了全球七成以上的市場(chǎng),，株式會(huì)社德山是一家日本百年企業(yè)，擁有最大的氮化鋁廠,，其采用自主研發(fā)的碳熱還原技術(shù),，產(chǎn)量高達(dá)360t/年。SHAPAL TM是德山的陶瓷產(chǎn)品系列,，由氮化鋁粉末燒結(jié)而成,，其具有出色的導(dǎo)熱性，對(duì)鹵素氣體等離子體具有強(qiáng)大抵抗力以及與硅相似的熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn),，廣泛用于需要有效散熱的組件和半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的組件,，目前主要擁有 SH-30、SH-15,、SH-50三個(gè)系列的氮化鋁產(chǎn)品,。
國(guó)內(nèi)生產(chǎn)AlN粉體品質(zhì)較好的企業(yè)主要有臺(tái)灣高雄竹路應(yīng)用材料、寧夏艾森達(dá),、寧夏時(shí)星,、旭光電子以及廈門(mén)鉅瓷等。我國(guó)氮化鋁產(chǎn)業(yè)起步晚,，由于氮化鋁粉體制作工藝比較復(fù)雜、能耗高,、周期長(zhǎng),、生產(chǎn)成本較高，國(guó)內(nèi)企業(yè)粉體制備技術(shù)與國(guó)外尚有差距,，生產(chǎn)的AlN粉體質(zhì)量與國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品相比較,，尤其在制品熱導(dǎo)率方面，尚有不及,。隨著國(guó)內(nèi)研究不斷深入,，氮化鋁制備技藝不斷提高，國(guó)內(nèi)外差距正在逐漸縮小,。
氮化鋁在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用
作為陶瓷封裝基板
隨著微電子及半導(dǎo)體技術(shù)的蓬勃發(fā)展,，電機(jī)和電子元件逐級(jí)步入微型、輕量,、高能量密度和大功率輸出時(shí)代,，電子基板熱流密度大幅增加，保持設(shè)備內(nèi)部穩(wěn)定的運(yùn)行環(huán)境成為需要重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)問(wèn)題,。AlN陶瓷因具有熱導(dǎo)率高,、熱膨脹系數(shù)與硅接近,、機(jī)械強(qiáng)度高、化學(xué)穩(wěn)定性好及環(huán)保無(wú)毒等特性,，被認(rèn)為是新一代散熱基板和電子器件封裝的理想材料,。
氮化鋁陶瓷基板，來(lái)源：艾森達(dá)
相比Al2O3陶瓷基板和Si3N4陶瓷基板,，AlN陶瓷基板具有這些優(yōu)勢(shì)：使用AlN陶瓷基板作為芯片的承載體,，可以將芯片與模塊散熱底板隔離開(kāi)，基板中間的AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力（陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV）,，而且氮化鋁陶瓷基板具有良好的導(dǎo)熱性,，熱導(dǎo)率可以達(dá)到170-260W/mK。
此外,，AlN陶瓷基板膨脹系數(shù)同硅相近,，不會(huì)造成對(duì)芯片的應(yīng)力損傷，氮化鋁陶瓷基板抗剝力>20N/mm2,，具有優(yōu)秀的機(jī)械性能,，耐腐蝕，不易發(fā)生形變,，可以在較寬溫度范圍內(nèi)使用,。
作為半導(dǎo)體設(shè)備零部件
在半導(dǎo)體加工中，對(duì)硅片的散熱工作相當(dāng)重要,，如果無(wú)法保證硅片表面的均溫,，則在硅片的加工過(guò)程中將無(wú)法確保加工的均勻性，加工精度也會(huì)受到影響,。
氮化鋁靜電吸盤(pán),，來(lái)源：NTK
使用氮化鋁做主材料的優(yōu)勢(shì)在于：可以通過(guò)控制其體積電阻率，獲得大范圍的溫度域和充分的吸附力,，靜電吸盤(pán)可通過(guò)自由度高的加熱器設(shè)計(jì)可以實(shí)現(xiàn)良好的溫度均勻性,；氮化鋁通過(guò)一體共燒成型，不會(huì)出現(xiàn)因電極的劣化造成歷時(shí)變化,，最大限度的保障產(chǎn)品質(zhì)量,；在等離子鹵素真空氣氛環(huán)境下能持久運(yùn)行，以承受半導(dǎo)體及微電子最苛刻的制程環(huán)境,，還可提供穩(wěn)定的吸附力和溫度控制,。
作為襯底材料
AlN晶體是GaN、AlGaN以及AlN外延材料的理想襯底,。與藍(lán)寶石或SiC襯底相比,，AlN與GaN熱匹配和化學(xué)兼容性更高、襯底與外延層之間的應(yīng)力更小,。因此,，AlN晶體作為GaN外延襯底時(shí)可大幅度降低器件中的缺陷密度,，提高器件的性能，在制備高溫,、高頻,、高功率電子器件方面有很好的應(yīng)用前景。
另外,，用AlN晶體做高鋁（Al）組份的AlGaN外延材料襯底還可以有效降低氮化物外延層中的缺陷密度,，極大地提高氮化物半導(dǎo)體器件的性能和使用壽命�,；贏lGaN的高質(zhì)量日盲探測(cè)器已經(jīng)獲得成功應(yīng)用,。
氮化鋁單晶襯底
目前，日本德山化工數(shù)年前就已宣布其采用高溫氫化物氣相外延(HVPE)方法獲得2英寸AIN厚膜和1英寸左右的AIN單晶,。但是,，HVPE的產(chǎn)業(yè)化仍面臨一些技術(shù)問(wèn)題需要克服，目前AIN單晶襯底的主要生長(zhǎng)方法仍以物理氣相沉積(PVT)為主,，全球頭部企業(yè)包括我國(guó)的奧趨光電,。
在去年，國(guó)內(nèi)奧趨光電不斷突破技術(shù)瓶頸,，開(kāi)發(fā)了全球最大尺寸,、直徑達(dá)60mm，且具有世界領(lǐng)先深紫外透光性的高質(zhì)量氮化鋁單晶襯底,，自主開(kāi)發(fā)了顛覆性,、大批量制備高性能硅基、藍(lán)寶石基氮化鋁薄膜模板的工藝專(zhuān)利技術(shù)等,，對(duì)打破國(guó)外壟斷,、填補(bǔ)該領(lǐng)域的國(guó)內(nèi)空白和實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化替代有著重要意義。
作為薄膜材料
由于AlN帶隙寬,、極化強(qiáng)，禁帶寬度為6.2eV,，其制備的氮化鋁薄膜材料具有很多優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),，如高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率,、高電阻率,、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性以及良好的光學(xué)及力學(xué)性能，被廣泛應(yīng)用作為電子器件和集成電路的封裝中隔離介質(zhì)和絕緣材料,。
高質(zhì)量的AlN薄膜還具有極高的超聲傳輸速度,、較小的聲波損耗、相當(dāng)大的壓電耦合常數(shù),，與Si,、GaAs相近的熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn),，獨(dú)特的性質(zhì)使它在機(jī)械、微電子,、光學(xué)以及電子元器件,、聲表面波器件制造和高頻寬帶通信等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。
目前,，氮化鋁薄膜的制備尚且處于設(shè)備復(fù)雜,、造價(jià)昂貴、難于商品化的階段,，并且所使用的制備薄膜的方法通常要求將襯底加熱到較高的溫度,。目前低溫制備氮化鋁薄膜的方法還不成熟、不完善,。而集成光學(xué)器件的發(fā)展,，需要在較低的溫度下進(jìn)行薄膜制備，以避免對(duì)襯底材料的熱損傷,。改進(jìn)氮化鋁薄膜的制備方法,，在較低的溫度、較簡(jiǎn)單的工藝條件下得到更致密,、更均勻,、更高純度、更低成本的氮化鋁薄膜,，還有大量的工作需要去做,。
氮化鋁市場(chǎng)規(guī)模與現(xiàn)狀
作為導(dǎo)熱材料，隨著新能源汽車(chē)與5G行業(yè)的發(fā)展,，氮化鋁市場(chǎng)價(jià)值越來(lái)越得到凸顯,。根據(jù)半導(dǎo)體微電子、功率器件協(xié)會(huì)和汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)公布的數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)AlN全球市場(chǎng)模超過(guò)1000億元,。
由于氮化鋁材料制作工藝比較復(fù)雜,、能耗高、周期長(zhǎng),、價(jià)格昂貴,、生產(chǎn)成本較高，目前大部分國(guó)產(chǎn)氮化鋁材料尚達(dá)不到高導(dǎo)熱,、高強(qiáng)度的應(yīng)用要求,，這造成國(guó)內(nèi)氮化鋁產(chǎn)量不能滿(mǎn)足市場(chǎng)需求，粉料大量依賴(lài)進(jìn)口,。根據(jù)旭光電子公告,，2021年我國(guó)氮化鋁粉體需求量約為3400噸，供需缺口為2200噸,。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年,，中國(guó)氮化鋁粉體需求量將保持15%左右的增速,，到2025年需求量約5600噸，供應(yīng)缺口達(dá)到3100噸,。
2016-2025年中國(guó)氮化鋁粉體需求量及增速情況,，來(lái)源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院
氮化鋁之所以受關(guān)注在于：其一，性能好,，用起來(lái)“香”,，物有所值；其二,，生產(chǎn)過(guò)程復(fù)雜,，受各種因素干擾，得之不易,，對(duì)原材料要求高,，制品制備工藝復(fù)雜，生產(chǎn)門(mén)檻較高,；其三,，市場(chǎng)發(fā)展迅速，產(chǎn)能擴(kuò)張速度跟不上需求增速,。目前來(lái)看,，如何提高氮化鋁粉體的批次穩(wěn)定性、進(jìn)一步減低成本,，以及氮化鋁的后期處理是未來(lái)需要重點(diǎn)關(guān)注的問(wèn)題,。
參考來(lái)源：
張爽等：氮化鋁粉體制備國(guó)內(nèi)專(zhuān)利技術(shù)分析
邱寶付等：氮化鋁材料及其粉體制備的現(xiàn)狀與展望
中國(guó)粉體網(wǎng)：氮化鋁，要火,！
中國(guó)粉體網(wǎng)：氮化鋁粉體國(guó)產(chǎn)化替代加速
中國(guó)粉體網(wǎng)：為何氮化鋁基板比其它基板貴,，且一片難求？
華西證券：氮化鋁行業(yè)研究：AlN應(yīng)用性能出眾,，國(guó)產(chǎn)替代機(jī)遇顯著
華經(jīng)情報(bào)網(wǎng)：2022年中國(guó)氮化鋁產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀,、競(jìng)爭(zhēng)格局及前景分析，供需缺口大,，市場(chǎng)前景廣闊
（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青）
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