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國(guó)資委發(fā)布央企科創(chuàng)成果推薦目錄,,這些先進(jìn)陶瓷產(chǎn)品在列,!


來源:中國(guó)粉體網(wǎng)   空青

[導(dǎo)讀]  近日,國(guó)資委發(fā)布中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊(cè)(2022年版),,多項(xiàng)先進(jìn)陶瓷產(chǎn)品上榜,。

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日,國(guó)資委發(fā)布中央企業(yè)科技創(chuàng)新成果產(chǎn)品手冊(cè)(2022年版),,涉及核心電子元器件,、關(guān)鍵零部件、分析測(cè)試儀器,、基礎(chǔ)軟件,、關(guān)鍵材料、先進(jìn)工藝,、高端裝備七個(gè)領(lǐng)域,,共計(jì)369個(gè)項(xiàng)目,。



其中核心電子元器件、關(guān)鍵零部件,、關(guān)鍵材料,、先進(jìn)工藝等領(lǐng)域都有先進(jìn)陶瓷產(chǎn)品上榜。


1,、高密度高可靠陶瓷外殼系列



涉及企業(yè):中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司


高可靠陶瓷外殼是指以陶瓷材料為主體,,采用多層共燒工藝技術(shù)制作的承載半導(dǎo)體芯片、特種元件以及兩者集成的模塊,、組件的包封體,。該系列產(chǎn)品采用自主研制的中溫陶瓷及鎢銅導(dǎo)體材料,可實(shí)現(xiàn)1000引出端以內(nèi)的陶瓷外殼研制,,封裝形式可包括陶瓷焊盤陣列CLGA,、陶瓷針柵陣列CPGA、陶瓷四邊引線扁平外殼CQFP等,,可適用于引線鍵合,、倒裝安裝等多種芯片安裝及互連方式。該系列外殼具有電性能優(yōu)良,,可靠性高,,氣密性好等特點(diǎn),可用于CPU,、DSP,、FPGA、AD/DA,、存儲(chǔ)器等高可靠集成電路封裝。


主要指標(biāo):氣密性:≤1×10-6Pa.cm3/s,;布線傳輸延遲:≤12 ps/mm,;導(dǎo)體方阻:≤5 mΩ/□


2、車用片式氧氣傳感器



涉及企業(yè):中國(guó)兵器工業(yè)集團(tuán)有限公司


片式氧氣傳感器是一種陶瓷基氧氣傳感器,,利用氧化鋯陶瓷在高溫下的離子電導(dǎo)特性和鉑電極對(duì)氧氣的催化性能進(jìn)行氧分壓感應(yīng),,從而實(shí)現(xiàn)氧氣含量檢測(cè)的一種氧氣傳感器。通過開展片式氧氣傳感器的自有化替換研制,,打破了國(guó)外車用氧氣傳感器依賴進(jìn)口的局面,,實(shí)現(xiàn)了車用尾氣排放控制的核心器件的自主可控。


主要指標(biāo):測(cè)量范圍:0.9-1.1,;測(cè)量精度:±0.05,;加熱電阻:9Ω±1Ω


3、高純度超細(xì)氮化鋁




涉及企業(yè):中國(guó)鋁業(yè)集團(tuán)有限公司


高純度超細(xì)氮化鋁具有低氧含量,、高純度,、高導(dǎo)熱等優(yōu)點(diǎn),,產(chǎn)品主要應(yīng)用于航空、5G通訊等高導(dǎo)熱基板領(lǐng)域,,中鋁集團(tuán)所屬中鋁新材料有限公司自主研發(fā)生產(chǎn)的氮化鋁粉體產(chǎn)品純度,、粒度、微觀形貌可控,,批次穩(wěn)定性好,,各項(xiàng)物理化學(xué)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。經(jīng)下游氮化鋁陶瓷用戶評(píng)價(jià),,制品熱導(dǎo)率達(dá)到220W/(m•K)以上,。


主要指標(biāo):氧含量:<0.8%; 其他雜質(zhì)含量:金屬雜質(zhì)含量<500ppm,、非金屬雜質(zhì)含量< 0.1%,;SBET比表面:2.4-3.5m2/g;晶型晶貌:原晶類球形,,晶型發(fā)育完善,。


4、AMB基板一體化封裝



涉及企業(yè):中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司


陶瓷覆銅板外殼的底座由氮化硅陶瓷覆銅基板,、通孔銅柱,、封口環(huán)等部分組成,具備大載流能力,,強(qiáng)絕緣及高氣密性的優(yōu)點(diǎn),。該外殼用于MOS多芯片封裝,可用于陽(yáng)極點(diǎn)火器封裝模塊及其他功率模塊,;支持最大載流20A,,滿足軍用器件的氣密性及可靠性要求,同時(shí),,相較于其他陶瓷外殼,,氮化硅覆銅外殼具備優(yōu)異的機(jī)械性能,適用于機(jī)械振動(dòng),、沖擊較強(qiáng)的場(chǎng)合,。經(jīng)過兩年的攻堅(jiān),技術(shù)成熟度達(dá)到六級(jí),。


主要指標(biāo):剝離強(qiáng)度:≥6N/mm,;基板鍍層厚度:鎳2.54~8.9微米,鈀≥0.05微米,,金≥0.025 微米,;絕緣電阻:≥1×109Ω(500V DC);載流能力:≥20A(DC),;外殼散熱性:16W,;空殼氣密性:A4≤1×10-3(Pa·cm3)/s(He),。


來源:國(guó)務(wù)院國(guó)資委


(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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