中國粉體網(wǎng)訊
2022年8月25日,，由中國粉體網(wǎng)旗下粉體公開課平臺主辦的“第三代半導(dǎo)體材料研究及測試分析網(wǎng)絡(luò)研討會”成功舉辦！本屆研討會旨在為第三代半導(dǎo)體從業(yè)者,、檢測人員和專家學(xué)者提供一個交流的空間,，來自武漢大學(xué)的周圣軍教授、合肥工業(yè)大學(xué)鄧二平教授及南京工程學(xué)院邵偉華博士分享了精彩的報告,。
武漢大學(xué)的周圣軍教授作題為《GaN基LED外延外延生長和芯片制造技術(shù)》報告
周圣軍教授圍繞提升LED芯片外量子效率展開了詳細(xì)報告,。在襯底方面，采用光刻膠熱回流和電感耦合等離子體技術(shù)相結(jié)合,，制備出藍(lán)寶石圖形襯底,，可顯著提升LED芯片的內(nèi)量子效率和光提取效率。
新型SiO2圖形襯底可以有效抑制AlGaN在圖形襯底的側(cè)壁生長,，降低外延層缺陷密度,，提高紫外LED輻射復(fù)合效率。同時還可以提高紫外LED芯片的光提取效率,，與藍(lán)寶石圖形襯底相比,，采用SiO2圖形襯底的紫外LED芯片頂部和底部的光提取效率分別提升了17%和10.7%。
此外,，周圣軍教授表示還可以通過激光直寫技術(shù)制備金屬線網(wǎng)格透明導(dǎo)電電極,，來提升紫外LED芯片外量子效率。
最后,，周圣軍教授講解了通過一系列的表面粗化工藝來提高光提取效率以及通過三維倒裝結(jié)構(gòu)來提升LED芯片的光學(xué)性能,。
南京工程學(xué)院邵偉華博士作《碳化硅器件的動態(tài)性能表征》
碳化硅功率器件是電能變換的核心，是下一代電氣裝備的基礎(chǔ),，在消費電子,、智能電網(wǎng),、電氣化交通,、國防軍工等領(lǐng)域，具有不可替代的作用,。碳化硅功率器件的性能表征,、封裝測試和系統(tǒng)集成具有重要的研究價值和應(yīng)用前景。對此,，邵偉華博士進(jìn)行了詳細(xì)的闡述,。
首先，邵偉華博士在場強、能隙,、熱導(dǎo)率,、熔點、飽和漂移速度等方面對硅和碳化硅做了全面的對比,，對比結(jié)果表明,，碳化硅相比于硅更適合制造高壓、高頻,、高溫大功率器件,。但是，碳化硅材料也不是完美的,，其仍有易引起EMI問題,、對寄生參數(shù)敏感、對驅(qū)動電路要求高,、成本高昂等問題,。
接著，邵偉華博士介紹了器件表征分類及其功能,，具體分為靜態(tài)特性表征和動態(tài)特性特征,。
在本報告中，邵偉華博士就如何準(zhǔn)確的進(jìn)行雙脈沖測試進(jìn)行了詳細(xì)的介紹,。首先要求測試設(shè)備帶寬高于被測材料帶寬,，邵偉華博士根據(jù)自己的研究經(jīng)驗總結(jié)一般選用帶寬500MHz以上示波器。其次,，在電壓探頭的選擇和使用方面,，我們了解到高精度電流探頭、皮爾森電流互感器,、羅氏線圈,、同軸電阻等不同分類及使用情況。同時,，對電壓電流探頭進(jìn)行校準(zhǔn)也是一項必不可少的工作,，以減少儀器測量帶來的誤差。
合肥工業(yè)大學(xué)鄧二平教授作《SiC MOSFET多應(yīng)力可靠性測試方法和評估》
首先,，鄧二平教授對SiC MOSFET器件可靠性測試和評估工作的背景進(jìn)行了介紹,。隨著研究的深入，濕度相關(guān)失效逐漸引起了重視,，約占功率器件失效的20%,，尤其是在光伏、海上風(fēng)電,、電動汽車等戶外工礦更受關(guān)注,。在光伏領(lǐng)域，晶硅組件模塊有1740項可靠性考核，與濕度相關(guān)考核占27%,；薄膜組件模塊有370項可靠性考核,，與濕度相關(guān)考核占28%。其中溫度—濕度耦合是一大失效原因,。
在報告中,，鄧二平教授針對SiC MOSFET器件可靠性測試評估方法、測試難點,、失效機理等進(jìn)行了詳細(xì)闡述,。
