中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近日,，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程國(guó)際化示范學(xué)院/材料復(fù)合新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室麥立強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)利用微納器件研究了P摻雜氧化物在電化學(xué)活化過(guò)程中電導(dǎo)的連續(xù)演化，研究并證實(shí)了新形成的氧化物與P-O基團(tuán)之間的誘導(dǎo)電子耦合,。

該團(tuán)隊(duì)認(rèn)為這種獨(dú)特的片上電化學(xué)微器件平臺(tái)也可以應(yīng)用于其他相關(guān)領(lǐng)域,，以了解納米尺度下能量材料的動(dòng)態(tài)行為,。相關(guān)成果發(fā)表在《Nano Energy》上。

該研究通過(guò)設(shè)計(jì)一種基于單個(gè)P1-Co₃O₄薄膜的平面電化學(xué)微器件,，首次測(cè)量了重構(gòu)晶格磷摻雜Co₃O₄的電導(dǎo),，建立了重構(gòu)過(guò)程中摻磷Co₃O₄的本征電導(dǎo)與電化學(xué)活性之間的關(guān)系，明確了本征電導(dǎo)對(duì)P摻雜Co₃O₄催化活性的影響,。

該研究還基于這種獨(dú)特的微器件平臺(tái),，通過(guò)原位I-V測(cè)量，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)了重構(gòu)晶格磷摻雜Co₃O₄在OER過(guò)程中的電阻,，并發(fā)現(xiàn)在高電位下,，重構(gòu)的晶格磷摻雜Co₃O₄比原始合成的Co₃O₄具有更快的電荷轉(zhuǎn)移動(dòng)力學(xué)。

此外,，該研究認(rèn)為這種獨(dú)特的片上電化學(xué)微器件平臺(tái)也可以應(yīng)用于其它相關(guān)領(lǐng)域,，以了解納米尺度下能量材料的動(dòng)態(tài)行為。

值得一提的是,，原位芯片為此次Co₃O₄和P1-Co₃O₄的晶體結(jié)構(gòu)的表征提供了氮化硅支撐膜,。

據(jù)介紹，原位芯片的氮化硅膜最薄可至10nm,，在保證超平整,、超潔凈的質(zhì)量要求前提下，同時(shí)具有良好的機(jī)械強(qiáng)度,，耐高溫特性以及表面導(dǎo)熱性,。該研究正是利用了氮化硅膜的這些優(yōu)良特性，利用TEM透射電鏡對(duì)Co₃O₄和P1-Co₃O₄的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,。

據(jù)原位芯片官方消息,，其自主研發(fā)的優(yōu)質(zhì)氮化硅薄膜窗口，為每一次實(shí)驗(yàn)提供高效的觀測(cè)體驗(yàn),。產(chǎn)品主要應(yīng)用于：SEM,、TEM、X-Ray 顯微鏡觀測(cè)實(shí)驗(yàn),。同時(shí),，原位芯片可用于觀測(cè)液體環(huán)境的氮化硅薄膜觀測(cè)窗口，更是打破國(guó)際壟斷,，成為少數(shù)擁有生產(chǎn)液體芯片的公司之一,。原位芯片在提供標(biāo)準(zhǔn)品的同時(shí)，也提供氮化硅薄膜窗口的定制服務(wù),，助力實(shí)現(xiàn)更多科研可能,。

（中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/山川）

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