中國粉體網(wǎng)訊  以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料,，具備高擊穿電場、高熱導(dǎo)率,、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優(yōu)異性能,，更適合于制作高溫、高頻,、抗輻射及大功率電子器件,，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。
   

“十二五”期間,，863計劃重點支持了“第三代半導(dǎo)體器件制備及評價技術(shù)”項目,。近日，科技部高新司在北京組織召開項目驗收會,。項目重點圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)中的關(guān)鍵材料,、關(guān)鍵器件以及關(guān)鍵工藝進(jìn)行研究，開發(fā)出基于新型基板的第三代半導(dǎo)體器件封裝技術(shù),，滿足對應(yīng)高性能封裝和低成本消費級封裝的需求,，研制出高帶寬GaN發(fā)光器件及基于發(fā)光器件的可見光通信技術(shù)，并實現(xiàn)智能家居演示系統(tǒng)的試制,；開展第三代半導(dǎo)體封裝和系統(tǒng)可靠性研究,，形成相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范；制備出高性能SiC基GaN器件,。通過項目的實施,，我國在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的SiC和GaN材料、功率器件,、高性能封裝以及可見光通訊等領(lǐng)域取得突破,，自主發(fā)展出相關(guān)材料與器件的關(guān)鍵技術(shù)，有助于支撐我國在節(jié)能減排,、現(xiàn)代信息工程,、現(xiàn)代國防建設(shè)上的重大需求。
   

“十三五”期間,，為進(jìn)一步推動我國材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化發(fā)展,，科技部制定了《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃》，將“戰(zhàn)略先進(jìn)電子材料”列為發(fā)展重點之一,，以第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明,、新型顯示為核心，以大功率激光材料與器件,、高端光電子與微電子材料為重點,，推動跨界技術(shù)整合,，搶占先進(jìn)電子材料技術(shù)的制高點。

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/平安）