中國粉體網訊 以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料,，具備高擊穿電場,、高熱導率、高電子飽和速率及抗強輻射能力等優(yōu)異性能,，更適合于制作高溫,、高頻、抗輻射及大功率電子器件,，在光電子和微電子領域具有重要的應用[更多]
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