在德國舉行的納米技術(shù)論壇上,，研究人員表示,，試圖采用該技術(shù)填補未來半導(dǎo)體制造藍圖中的空隙。
英飛凌科技正在開發(fā)面向通信技術(shù)的納米技術(shù)應(yīng)用,。英飛凌的一位研究人員Karl Joachim Ebeling介紹了一種能夠用于控制半導(dǎo)體的帶寬為60 Gbps的SiGe晶體管,。但他表示，設(shè)計師還不太清楚這種元件的全部容量,�,！澳呛茈y測量，”Ebeling說,。然而,，可以肯定的是，SiGe晶體管提供更高開關(guān)電壓,，“至少與CMOS一樣出色,，”他補充道。
盡管英飛凌在超薄絕緣硅晶圓上采用高達45納米節(jié)點的平面MOSFET,，但該公司表示正在考慮用于亞30納米節(jié)點SOI上的非平面FinFET結(jié)構(gòu),。Ebeling表示英飛凌正在研究高開關(guān)電流比率的FinFET,，并有意在其FinFET存儲器中采用該器件，據(jù)他稱這種類型的元件將是全球首創(chuàng),。
芯片設(shè)計師在采用納米技術(shù)時還遭遇到一個老問題：隨著結(jié)構(gòu)越來越小,，掩膜成本以指數(shù)級增長,�,！拔覀冾A(yù)計一套掩膜的費用為530萬美元，” Ebeling說,。此外,，曝光系統(tǒng)成本也爆炸性飛漲，預(yù)計每套步進器的價值大約為8200萬美元,。
英飛凌科技正在開發(fā)面向通信技術(shù)的納米技術(shù)應(yīng)用,。英飛凌的一位研究人員Karl Joachim Ebeling介紹了一種能夠用于控制半導(dǎo)體的帶寬為60 Gbps的SiGe晶體管,。但他表示，設(shè)計師還不太清楚這種元件的全部容量,�,！澳呛茈y測量，”Ebeling說,。然而,，可以肯定的是，SiGe晶體管提供更高開關(guān)電壓,，“至少與CMOS一樣出色,，”他補充道。
盡管英飛凌在超薄絕緣硅晶圓上采用高達45納米節(jié)點的平面MOSFET,，但該公司表示正在考慮用于亞30納米節(jié)點SOI上的非平面FinFET結(jié)構(gòu),。Ebeling表示英飛凌正在研究高開關(guān)電流比率的FinFET,，并有意在其FinFET存儲器中采用該器件，據(jù)他稱這種類型的元件將是全球首創(chuàng),。
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