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陶瓷粉體制備新技術(shù)


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標(biāo)簽陶瓷粉體
高純,、精細(xì)陶瓷粉體材料的制備,是高科技產(chǎn)品質(zhì)量的根本保證。世界許多國家投入了大量人力物力,,為發(fā)展應(yīng)用高性能陶瓷材料進(jìn)行了深入研究,,取得了許多突破性進(jìn)展。如在高純,、超細(xì)陶瓷粉體的合成技術(shù)、粉體的特性,、粉體的處理與形狀的形成,、粉體燒結(jié)行為及粉體—微觀結(jié)構(gòu)—性能問題的關(guān)系等研究方面均取得了許多新成果。現(xiàn)主要就陶瓷粉體制備的最新技術(shù)予以介紹,。

    一、溶膠—凝膠技術(shù)

    近年來,,該技術(shù)得到廣泛應(yīng)用,,特別是在工業(yè)化生產(chǎn)方面取得了明顯進(jìn)展,。如:日本利用該方法制備的氧化鋁陶瓷薄膜的厚度達(dá)到了100μm,多層條件下的抗壓強(qiáng)度高達(dá)530Mpa,,燒后的陶瓷薄片幾乎完全致密,、無氣孔。該技術(shù)還被用來制造多層陶瓷電容器,。

    日本研究者還用該技術(shù)將氧化鋯均勻地分散于莫來石中以提高其斷裂韌性,氧化鋯的加入量限制在15vo1%以下,,經(jīng)1600℃燒成后,,成為充分致密的材料,室溫下抗彎強(qiáng)度和斷裂韌性分別達(dá)500Mpa和4.3Mpa.m1/2,。

    另外,日本某大學(xué)用表面改性技術(shù)來制備氧化鋯/氧化物復(fù)合陶瓷材料,,分散的氧化物顆粒用優(yōu)先水解的烷氧基鋯涂復(fù),。這樣,在球形的硅膠顆粒上形成均勻的氧化鋯深層,,燒結(jié)以后形成致密均勻的顯微結(jié)構(gòu)。

    以上介紹的溶膠—凝膠技術(shù)主要應(yīng)用于電子陶瓷粉體的制備,,也有成功地應(yīng)用于批量粉料的制備。如:澳大利亞已生產(chǎn)出每批100kg的粉料,粉體的比表面積250~300m2/克,,密度為2.91~3.45克/厘米2。

    二,、氧化物的水熱合成

    水熱合成是一種制備超細(xì)陶瓷粉體的新技術(shù),,可以單獨(dú)進(jìn)行,,也可以與臨介干燥技術(shù)結(jié)合進(jìn)行粉體制備。

    德國研究者采用鋁,、鈦鹽水熱結(jié)晶與共沉淀結(jié)合的方法制備出高純穩(wěn)定的鋁/鈦氧化物粉體,。日本科研人員采用水熱合成于200℃,,2MPa,,條件下研磨混合制備BaFe6O12結(jié)晶粉體,結(jié)晶物理1000℃煅燒后,,獲得具有良好磁性的BaFe6O12粉體,。

    法國科研人員用兩種水熱結(jié)晶方法制備出細(xì)小的光敏Bi12GeO12粉體,,一種方法是將鉍和鍺的氧化物在水中球磨研磨或氧化物在水中以1個大氣壓的條件下加熱分解;第二種方法制備的Bi12GeO20晶體在10~100℃的水中形成,,粉體顆粒尺寸為5μm,,添加酸性溶液或用熱水研磨,,反應(yīng)速度提高。

    以色列,、瑞典,、荷蘭及丹麥四國科學(xué)家聯(lián)合研究以釔穩(wěn)定的氧化鋯粉體的水熱合成,,制備的粉體尺寸只有10~20μm,粉體的顆粒尺寸太小,,就會對熱等靜壓成型之類的工藝產(chǎn)生不利影響,,需要煅燒來增大顆粒尺寸,但這不利于形成團(tuán)聚,。為解決這一矛盾,,水熱合成的粉體需用超臨介干燥法進(jìn)行干燥,即將流體與沉淀物置于高壓釜中加熱到冷凝物臨介點(diǎn)的溫度和壓力以上,,然后降低至常壓,,以消除毛細(xì)管力的作用。要除去殘余的干燥水分,,往往需要采用高溫與高壓,流態(tài)中形成的沉淀物可用甲醇進(jìn)行洗滌,,使其變成漿狀物,,然后在低溫條件下將有機(jī)溶劑去除,。獲得的粉體經(jīng)1000℃煅煉后可達(dá)到理論密度的97.4%。采用其它反團(tuán)聚措施之后,,1400℃燒結(jié)的氧化鋯粉體可達(dá)99.5%的理論密度,。

    三,、非氧化物的氣相合成技術(shù)

    近年來,氣相合成技術(shù)有了很大發(fā)展,,該技術(shù)多為連續(xù)進(jìn)行,,對反應(yīng)產(chǎn)物進(jìn)行簡單的純化及最大限度的混合。但是,,高溫反應(yīng)易造成容器材料的腐蝕,。另外,,制得的粉末晶體的結(jié)晶度不好,難以壓實(shí),�,?蒲腥藛T在不斷對該技術(shù)進(jìn)行改進(jìn),。實(shí)踐證明,氣相合成有很高的回收率,。

    現(xiàn)已有多種碳還原及等離子體方法制備碳化物和氫化物粉體,。如:日本研究人員用鈦和石墨為起始物,采用電弧反射加熱的碳熱還原法制備出微米尺寸的氮化鈦和碳化鈦,,由于使用電孤反射爐,,反應(yīng)的加熱時間大大縮短,溫度明顯降低,。

    聚合物的熱分解是制備碳化物和氮化物的另一種技術(shù),。日本正在研究用聚硅烷作為制備氮化硅的前驅(qū)體,,因?yàn)橛盟色@得高產(chǎn)率的陶瓷粉體,高含量的聚硅烷可使生坯密度高達(dá)理論密度的62%,。該密度在聚硅烷熱解后不變化,收縮率小,,機(jī)械強(qiáng)度與普通方法制備的氮化硅陶瓷相同,。研究發(fā)現(xiàn),,該性能取決于氮?dú)夥諚l件下的加熱溫度。

  應(yīng)用等離子體技術(shù)制備非氧化物粉體的優(yōu)點(diǎn)是:可以低溫?zé)Y(jié),,而且能制備出高質(zhì)量粉體,。日本采用高頻感應(yīng)產(chǎn)生的離子體直接將金屬氮化來制備氮化鋁,,這種等離子焰可產(chǎn)生很高溫度,由于不用電極,,從而避免了產(chǎn)出物的污染,,制備出的20~90nm。超細(xì)氮化鋁粉體中的金屬雜質(zhì)小于100PPm,,氧氣量小于2%。

    四,、共沉淀法

  荷蘭的科研工作者采用沉淀法制備出鐵氧體粉料,,他們先將鐵的氫氧化物與基液均勻混合,,然后在氧/氮或硝酸鹽中氧化獲得顆粒尺寸0.03~0.33μm的粉體,,具有20%的分散率,。選用適當(dāng)?shù)臍溲趸锟色@得60%理論密度的生坯。用四丁基氨的氫氧化物可獲得最致密的坯體,。該國科學(xué)家還利用另一種沉淀技術(shù)制備出高比表面積的活性氧化釔,,借助釔離子對溶液中聚合物鰲合劑的鰲合作用形成凝膠狀的沉淀物。沉淀物的灰化溫度決定了氧化釔離子比表面積的晶體尺寸,。

  德國的科學(xué)家也應(yīng)用類似方法,,從水—油乳化液中制備添加了氧化釔的球形氧化鋯,微球內(nèi)的氫氧化物沉淀用離子交換法制得,。水的共沸蒸餾形成球狀非晶態(tài)顆粒,,經(jīng)過過濾、干燥和煅煉后可得到尺寸為0.3~3.0μm的穩(wěn)定四方晶氧化鋯粉體,。該技術(shù)可用于制造BaTiO3和超導(dǎo)氧化物粉體,,它具有連續(xù)生產(chǎn)和經(jīng)濟(jì)的優(yōu)點(diǎn)。

  共沉淀法還被成功地應(yīng)用于制造半透明陶瓷,。法國某公司用丁醇鋁及甲醇鹽,、丁醇鹽之類硅醇鹽迅速水解的方法來合成微細(xì)的莫來石膠體粉料,膠體結(jié)構(gòu)類似于尖晶石,,其組成式可綜合為3Al2O3·XSiO2·15H2O,,壓制成半透明的生坯片,,密度為1.7~2.4克/厘米3。

  西班牙科研人員制備出添加了氧化鉺的四方晶氧化鋯陶瓷粉體,,采用凝膠沉淀與反聚凝相結(jié)合方法制備出的粉體顆粒,,尺寸均勻,,顆粒尺寸小于0.3μm,且無團(tuán)聚現(xiàn)象,。在沉淀過程中,,須將PH值嚴(yán)格控制在9以下,以便形成均勻的凝膠沉淀,,沉淀物的煅燒溫度應(yīng)低于550℃,以保持顆粒表面活性,,提高粉體燒結(jié)性能。粉體的壓制體在1400℃以下可燒結(jié)成99.8%理論密度的材料,,厚度大于1mm的薄片在波長為300~800nm之間的光譜內(nèi)有極好的半透明性。
    
    五,、噴霧熱分解法

  日本的科研人員開發(fā)了一種噴霧干燥/噴霧—熱分解技術(shù)來制備氧化物超導(dǎo)粉體,,用作霧化的溶液有硝酸鹽,、醋酸鹽、檸檬酸鹽及含有草酸鹽沉淀物的泥漿,,制得的粉體顆粒尺寸0.1~1μm,組份均勻,,燒結(jié)體密度可達(dá)理論密度的95~98%,。法國研究人員利用超聲波霧化器在液態(tài)中將氯氧化鋯與銷酸釔混合,,經(jīng)熱處理后制備出氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯粉體,,粉體顆粒呈球形,,稍帶微孔,尺寸為0.2~1.8μm,。
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