從壟斷競(jìng)爭(zhēng)到充分競(jìng)爭(zhēng):高純多晶硅最初主要用于半導(dǎo)體領(lǐng)域,自2004年以來(lái)受晶體硅太陽(yáng)能電池需求拉動(dòng)而出現(xiàn)供不應(yīng)求,,致使多晶硅價(jià)格持續(xù)上漲并帶來(lái)暴利,暴利的誘惑下產(chǎn)業(yè)壁壘被攻克(資金+技術(shù)),大量的新增產(chǎn)能不斷涌現(xiàn)。當(dāng)越來(lái)越多的廠(chǎng)商掌握了生產(chǎn)技術(shù),行業(yè)出現(xiàn)超額利潤(rùn)時(shí)供應(yīng)商能夠迅速擴(kuò)產(chǎn),,多晶硅行業(yè)從之前的寡頭壟斷格局,轉(zhuǎn)向充分競(jìng)爭(zhēng)格局,。自2008年4季度以來(lái),,多晶硅價(jià)格步入下跌通道。
2009年供需逆轉(zhuǎn),,2010年行業(yè)洗牌:大部分08年新增產(chǎn)能投產(chǎn)于08年底,,這些產(chǎn)能將沖擊2009年多晶硅市場(chǎng)。自2008年4季度以來(lái),,由于金融危機(jī)影響了下游光伏需求,,許多曾出臺(tái)龐大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的多晶硅制造商必將推遲或取消其部分后期項(xiàng)目,而目前已經(jīng)在建產(chǎn)能將陸續(xù)于2009-2010年投產(chǎn),。通過(guò)分析全球的多晶硅項(xiàng)目供給及需求狀況,,我們判斷2009年全球多晶硅供需逆轉(zhuǎn),而隨著在建項(xiàng)目于2010年再度沖擊市場(chǎng),,2010年將發(fā)生無(wú)情的洗牌,。
新技術(shù)路線(xiàn)的沖擊不可忽視:以改良西門(mén)子法為代表的傳統(tǒng)工藝是當(dāng)前高純多晶硅的主要生產(chǎn)方法,,占據(jù)著80%的份額。而以硅烷法,、冶金法為代表的新興技術(shù)正在逐步的成熟中,,這些新方法直接瞄準(zhǔn)太陽(yáng)能級(jí)的多晶硅,相對(duì)傳統(tǒng)工藝而言成本大幅降低,。新技術(shù)的突破及擴(kuò)產(chǎn),,將給現(xiàn)有行業(yè)格局帶來(lái)影響。需要密切關(guān)注冶金法的提純純度,,若能量產(chǎn)6N級(jí),,則足以對(duì)行業(yè)形成較大沖擊。
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