氧化銦和氧化錫均具有優(yōu)良的物理化學性能, 將它們按不同比例混合可以制得電學性能優(yōu)異的n 型半導體材料,。90%的氧化銦和10%的氧化錫復合即形成了銦錫復合氧化物ITO 粉體, 反之在氧化錫粉體中適量復合氧化銦又可以得到氣敏性能[更多]
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