中國粉體網(wǎng)訊 近日,,浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心(簡稱科創(chuàng)中心)先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-杭州乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室(簡稱聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室)經(jīng)過系列技術(shù)攻關(guān),,在大尺寸碳化硅(SiC)單晶生長及其襯底制備方面取得突破,,成功生長出厚度達(dá)27毫米的8[更多]
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