中國粉體網(wǎng)訊 現(xiàn)代功率半導體技術(shù)飛速發(fā)展至今,,硅基功率半導體器件性能已逼近其材料極限,。Si IGBT作為主流的硅基功率開關(guān)器件,,其具有低導通損耗及低成本的優(yōu)勢,,但高開關(guān)損耗限制了其在高開關(guān)頻率、高功率密度變換器中的應用,。作為[更多]
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