推薦高導電氧化鋅陶瓷問世

中國粉體網(wǎng)訊 中科院上海硅酸鹽研究所研究員李國榮團隊通過晶粒及晶界缺陷設計的方法,，成功消除了ZnO晶界處的肖特基勢壘，制備出高導電的ZnO陶瓷,，其室溫下的電導率高達1.9×105 Sm-1,；同時缺陷設計也降低了材料的晶格熱導[更多]