推薦北大排列高密度半導體碳納米管 電子學性能超同尺寸硅基器件

中國粉體網(wǎng)訊 集成電路的發(fā)展要求互補金屬氧化物半導體（CMOS）晶體管在持續(xù)縮減尺寸的同時提升性能,，降低功耗,。隨著主流CMOS集成電路縮減到亞10 nm技術節(jié)點，采用新結構或新材料對抗場效應晶體管中的短溝道效應,、進一步提升器[更多]