推薦垂直型GaN-on-GaN器件的興起與未來

中國粉體網(wǎng)訊 氮化鎵（GaN）作為第三代寬禁帶半導體的代表之一,，擁有寬禁帶,、高擊穿場強,、高熱導率和高電子漂移速率等優(yōu)點,。制備出的氮化鎵器件導通電阻小,、電子遷移率高,、熱導性好,，而且在散熱,、能耗,、體積等方面也有著很大的優(yōu)勢,，不僅[更多]