參考價(jià)格
20-30萬(wàn)元型號(hào)
V-Sorb 2800P品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無(wú)白金會(huì)員
|第17年
|生產(chǎn)商
工商已核實(shí)
誤差率:
/分辨率:
/重現(xiàn)性:
≤±1.0%儀器原理:
靜態(tài)容量法分散方式:
/測(cè)量時(shí)間:
/測(cè)量范圍:
0.35nm-2nm(微孔)看了孔結(jié)構(gòu)分布儀全自動(dòng)靜態(tài)容量法的用戶(hù)又看了
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孔結(jié)構(gòu)分布儀全自動(dòng)靜態(tài)容量法
孔結(jié)構(gòu)分布儀V-Sorb 2800P是金埃譜科技自主研發(fā)的全自動(dòng)智能化比表面積和孔徑檢測(cè)儀器,采用靜態(tài)容量法測(cè)量原理,眾多**科研院所及500強(qiáng)企業(yè)應(yīng)用案例,相比國(guó)內(nèi)同類(lèi)產(chǎn)品,多項(xiàng)**技術(shù)的采用使產(chǎn)品整體性能更加完善,測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性進(jìn)一步提高,測(cè)試過(guò)程的穩(wěn)定性更強(qiáng),達(dá)到國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品**,部分功能超越國(guó)外產(chǎn)品.
金埃譜科技是國(guó)內(nèi)*早參與比表面積標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)標(biāo)定的機(jī)構(gòu),測(cè)試結(jié)果與國(guó)外數(shù)據(jù)可比性平行性**,并獲取權(quán)威認(rèn)證機(jī)構(gòu)的檢測(cè)證書(shū),同時(shí)金埃譜科技也是國(guó)內(nèi)同行業(yè)中注冊(cè)資本規(guī)模**,**通過(guò)ISO9001質(zhì)量認(rèn)證的生產(chǎn)企業(yè),雄厚實(shí)力和完善的質(zhì)量及服務(wù)體系,讓您選購(gòu)的產(chǎn)品無(wú)后顧之憂(yōu)!
全自動(dòng)靜態(tài)容量法孔結(jié)構(gòu)分布儀性能參數(shù)
測(cè)試方法及功能:氮吸附靜態(tài)容量法,吸附及脫附等溫線(xiàn)測(cè)定,BJH總孔體積及孔結(jié)構(gòu)分布分析,樣品真密度測(cè)定,t-plot圖法微孔分析,MP法微孔分析,HK法微孔分析,BET法比表面積測(cè)定(單點(diǎn)及多點(diǎn)),Langmuir法比表面積測(cè)定,平均粒徑估算,t-plot圖法外比表面積測(cè)定;
測(cè)量范圍:0.0005(m2/g)--至無(wú)上限(比表面積),;0.35nm-2nm(微孔)、2nm-500nm(中孔或介孔)
測(cè)量精度:比表面積重復(fù)精度≤± 1.0%,,*可幾孔徑重復(fù)偏差≤0.02nm
真空系統(tǒng): V-Sorb**的集裝式管路及電磁閥控制系統(tǒng),,大大減小管路死體積空間,提高檢測(cè)吸附氣體微量變化的靈敏度,,從而提高孔徑分布測(cè)定的分辨率,;同時(shí)集裝式管路減少了連接點(diǎn),大大提高密封性和儀器使用壽命,。
液位控制:V-Sorb**的液氮面控制系統(tǒng),,確保測(cè)試全程液氮面相對(duì)樣品管位置保持不變,徹底消除因死體積變化引入的測(cè)量誤差,。
測(cè)試模式:V-Sorb**的集成“單一氮?dú)鉁y(cè)試模式”和“氮?dú)?氦氣標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試模式”于一體,供客戶(hù)根據(jù)實(shí)際需要選擇使用;采用“氮?dú)?氦氣標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試模式”,符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),可確保結(jié)果的準(zhǔn)確性和一致性,且操作簡(jiǎn)單;對(duì)于低溫下可吸附氦氣的樣品,不適宜采用氦氣測(cè)定的死體積空間,可通過(guò)采用“單一氮?dú)鉁y(cè)試模式”獲得理想的測(cè)試結(jié)果.
控制系統(tǒng):采用可編程控制器電磁閥控制系統(tǒng),,高集成度和抗干擾能力,提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命,。
樣品數(shù)量:同時(shí)進(jìn)行2個(gè)樣品分析和2個(gè)樣品脫氣處理,樣品測(cè)試系統(tǒng)和樣品處理系統(tǒng)相互獨(dú)立,并且樣品測(cè)試和樣品脫氣處理可以同時(shí)進(jìn)行,避免了測(cè)試管路受到污染,從而進(jìn)一步確保測(cè)試的精度和提高儀器使用壽命
樣品處理:樣品處理的全過(guò)程通過(guò)軟件來(lái)自動(dòng)控制,包括溫度,、時(shí)間及真空泵啟停,并且具備處理開(kāi)始時(shí)間的預(yù)設(shè)功能,可實(shí)現(xiàn)夜間無(wú)人值守式測(cè)試和處理樣品,大大提高工作效率.
壓力測(cè)量:采用壓力分段測(cè)量的進(jìn)口硅薄膜電容式多支壓力傳感器,顯著提高低 P/Po點(diǎn)下測(cè)試精度,0-1000 Torr(0-133Kpa),0-1 Torr (0-0.133Kpa),壓力傳感器必須提供相應(yīng)進(jìn)口檢測(cè)證書(shū)
壓力精度:高精度進(jìn)口硅薄膜電容式壓力傳感器,精度達(dá)實(shí)際讀數(shù)的0.15%,優(yōu)于全量程的0.15%,遠(yuǎn)高于皮拉尼電阻真空計(jì)精度(一般誤差為10%-15%)
真空泵:進(jìn)口雙極真空泵可以實(shí)現(xiàn)外置和內(nèi)置儀器中二種放置方法,內(nèi)置儀器中可以通過(guò)軟件根據(jù)實(shí)驗(yàn)需要自動(dòng)控制真空泵啟停,,從而延長(zhǎng)真空泵的壽命
液氮杯:采用進(jìn)口4升大容量不銹鋼內(nèi)膽杜瓦瓶,經(jīng)久耐用,不易破損,在無(wú)需增加保溫蓋的條件下可連續(xù)進(jìn)行72小時(shí)測(cè)試,,無(wú)需添加液氮,,能完全滿(mǎn)足孔徑長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試需求
分壓范圍: P/Po 準(zhǔn)確可控范圍達(dá)5x10-6-0.998
極限真空:4x10-2Pa(3x10-4Torr);
樣品類(lèi)型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等;
測(cè)試氣體:高純N2氣(99.999%)或其它(按需選擇如Ar,Kr);
數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集模塊,誤差小,抗干擾能力強(qiáng);
數(shù)據(jù)處理:Windows兼容數(shù)據(jù)處理軟件,功能完善,操作簡(jiǎn)單,多種模式數(shù)據(jù)分析,圖形化數(shù)據(jù)分析結(jié)果報(bào)表.
暫無(wú)數(shù)據(jù)!
摘要:硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,,因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用,作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,,比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,,硬脂酸鎂的比表面積越大,其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn),、高硬度,、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),,被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),、汽車(chē)工業(yè)、紡織,、化工,、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),,是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
近日,,國(guó)際頂尖學(xué)術(shù)期刊《科學(xué)》(Science)發(fā)表了同濟(jì)大學(xué)羅巍教授與華中科技大學(xué)黃云輝教授等合作者的題為“Fatigue of Li metal anode in solid-state batt
固態(tài)鋰金屬電池(SSBs)因其高能量密度和安全性,,被認(rèn)為是電動(dòng)汽車(chē)的理想選擇,。然而,這些電池在循環(huán)過(guò)程中由于鋰枝晶的無(wú)控生長(zhǎng)而面臨短路挑戰(zhàn),。鋰枝晶的生長(zhǎng)不僅會(huì)穿透固態(tài)電解質(zhì)(SSE)導(dǎo)致電池內(nèi)部短路,
近期,國(guó)儀量子傳感交付與客戶(hù)成功團(tuán)隊(duì)在全國(guó)范圍內(nèi)成功開(kāi)展了【儀心儀意】客戶(hù)服務(wù)季活動(dòng),,通過(guò)深入多地客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng),,開(kāi)展多項(xiàng)專(zhuān)業(yè)服務(wù),切實(shí)保障客戶(hù)儀器穩(wěn)定運(yùn)行,。01安徽大學(xué)在安徽大學(xué),,服務(wù)工程師姜旭盟為老師們
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,,金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié),。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性,,對(duì)芯片的性能
國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,,芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),。在芯片工作時(shí),Al 互連導(dǎo)線(xiàn)
國(guó)儀量子電鏡在芯片鈍化層開(kāi)裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一,、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域,,芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,,覆蓋在芯片表面,,隔絕外界環(huán)境中的濕氣、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利