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面議型號(hào)
F-Sorb 2400CE品牌
金埃譜產(chǎn)地
北京樣本
暫無誤差率：
/分辨率：
/重現(xiàn)性：
/儀器原理：
動(dòng)態(tài)色譜法分散方式：
/測(cè)量時(shí)間：
/測(cè)量范圍：
/看了比表面的用戶又看了
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比表面性能參數(shù)：
測(cè)試方法:BET法比表面積(多點(diǎn)及單點(diǎn))檢測(cè),Langmuir比表面積檢測(cè),炭黑外比表面積檢測(cè),平均粒徑估算,直接對(duì)比法比表面積檢測(cè),氮吸附連續(xù)流動(dòng)法,樣品吸附常數(shù)C測(cè)定
測(cè)試功能:F-Sorb智能化測(cè)試模式,無人干預(yù)全自動(dòng)測(cè)試,消除人為操作誤差,提高測(cè)試精度
測(cè)量范圍:0.01(㎡/g)--至無上限(比表面積)
流量調(diào)節(jié):F-Sorb**功能,實(shí)現(xiàn)不同P/Po點(diǎn)流量軟件控制自動(dòng)調(diào)節(jié),無需人工手動(dòng)調(diào)節(jié)流量
定量標(biāo)定:F-Sorb型定量氣路由軟件控制,按需自動(dòng)切換脫附,無需人工手動(dòng)操控定量開關(guān),提高定量標(biāo)定精度
控制系統(tǒng):獨(dú)有的集中的多功能控制系統(tǒng),能實(shí)現(xiàn)測(cè)試過程的完全自動(dòng)化及智能化,測(cè)試期間無需任何人工干預(yù),儀器自動(dòng)執(zhí)行測(cè)試
樣品數(shù)量:可同時(shí)進(jìn)行4個(gè)樣品的吸附或脫附測(cè)定,樣品測(cè)試系統(tǒng)和樣品處理系統(tǒng)相互獨(dú)立,并且樣品測(cè)試和樣品處理可以同時(shí)進(jìn)行,避免了測(cè)試管路受到污染,從而進(jìn)一步確保測(cè)試的精度和提高儀器使用壽命
測(cè)試壓力:常壓下進(jìn)行,無需抽真空,有利于快速的比表面積檢測(cè)
測(cè)試精度:測(cè)量重復(fù)性誤差≤2%;≤1.5%直接對(duì)比法
樣品類型:粉末,顆粒,纖維及片狀材料等,適用于幾乎所有樣品比表面積檢測(cè),應(yīng)用廣泛
測(cè)試氣體:載氣為高純He氣(99.99%),吸附質(zhì)為高純N2(99.99%)或其它(按需選擇如Ar,Kr)
管路密封:采用高真空系統(tǒng)不銹鋼管路,高密封性能,有效防止氣體分子滲透導(dǎo)致的比表面積檢測(cè)誤差;同時(shí)不銹鋼管不存在老化問題,大大提高儀器穩(wěn)定性和使用壽命
測(cè)試時(shí)間:每樣品每 P/P0點(diǎn)吸附和脫附平均時(shí)間為5分鐘(視樣品吸附特性變化),四個(gè)樣品分析平均時(shí)間20分鐘左右(同時(shí)可測(cè)四個(gè)樣品),比表面積結(jié)果自動(dòng)由軟件實(shí)時(shí)得出
數(shù)據(jù)采集:高精度及高集成度數(shù)據(jù)采集及處理芯片,誤差小,抗干擾能力強(qiáng)
數(shù)據(jù)處理:BET單點(diǎn)及多點(diǎn)線性擬合圖,圖形化數(shù)據(jù)分析結(jié)果報(bào)表,可根據(jù)需要選擇中英文格式結(jié)果報(bào)表.分析與數(shù)據(jù)處理可同時(shí)進(jìn)行,檢測(cè)結(jié)果實(shí)時(shí)顯示,詳細(xì)的自動(dòng)操作步驟記錄及數(shù)據(jù)隨測(cè)試結(jié)果文件保存
暫無數(shù)據(jù)！
摘要：硬脂酸鎂是制藥界廣泛應(yīng)用的藥物輔料,，因?yàn)榫哂辛己玫目拐承?、增流性和?rùn)滑性在制劑生產(chǎn)中具有十分重要的作用，作為常用的藥用輔料潤(rùn)滑劑,，比表面積對(duì)硬脂酸鎂有很大的影響,，硬脂酸鎂的比表面積越大，其極性越
2022-07-05
陶瓷材料具有高熔點(diǎn),、高硬度,、高耐磨性、耐氧化等一系列特點(diǎn),，被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè),、汽車工業(yè)、紡織,、化工,、航空航天等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。陶瓷材料的物理性能很大程度上取決于其微觀結(jié)構(gòu),，是掃描電鏡重要的應(yīng)用領(lǐng)
2022-09-27
助力“土壤三普” | 氣體吸附技術(shù)在土壤膠體表征中的應(yīng)用 有關(guān)吸附等溫線中的滯后環(huán) 有關(guān)分子篩結(jié)構(gòu) 淺析BET BJH孔徑分布計(jì)算模型 有關(guān)BET測(cè)試中的常見問題（三） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見問題（二） 有關(guān)BET測(cè)試中的常見問題（一） 動(dòng),、靜態(tài)吸附法比較 淺析吸附方式中的t-plot 
4月9日,，“國(guó)儀電鏡論壇暨內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)國(guó)產(chǎn)電鏡技術(shù)講座”在內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)實(shí)驗(yàn)管理中心（測(cè)試中心）成功舉辦，吸引了來自周邊院校的多位電鏡領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者參與,。本次論壇以“國(guó)產(chǎn)電鏡的發(fā)展與機(jī)遇”為主題,，聚焦
4月1日,，由湖南大學(xué)分析測(cè)試中心與國(guó)儀量子聯(lián)合主辦，深圳速普儀器有限公司,、長(zhǎng)沙凱普樂科技有限責(zé)任公司協(xié)辦的“國(guó)儀電鏡論壇暨湖南大學(xué)電子顯微技術(shù)交流會(huì)”在湖南大學(xué)分析測(cè)試中心成功舉行,。本次會(huì)議吸引了湖南
引言 為更好地激勵(lì)在科研領(lǐng)域辛勤探索,、努力拼搏的科研工作者,，同時(shí)助力光探測(cè)磁共振事業(yè)發(fā)展，國(guó)儀量子決定對(duì)使用本公司ODMR系列產(chǎn)品,，發(fā)表高水平學(xué)術(shù)文章的科研工作者給予現(xiàn)金獎(jiǎng)勵(lì),。2025年OD
國(guó)儀量子電鏡在芯片金屬柵極刻蝕殘留檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一、背景介紹 在芯片制造工藝中,，金屬柵極刻蝕是構(gòu)建晶體管關(guān)鍵結(jié)構(gòu)的重要環(huán)節(jié),。精確的刻蝕工藝能夠確保金屬柵極的尺寸精度和形狀完整性，對(duì)芯片的性能
國(guó)儀量子電鏡在芯片后道 Al 互連電遷移空洞檢測(cè)的應(yīng)用報(bào)告一,、背景介紹 隨著芯片集成度不斷攀升,，芯片后道 Al 互連技術(shù)成為確保信號(hào)傳輸與芯片功能實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。在芯片工作時(shí),，Al 互連導(dǎo)線
國(guó)儀量子電鏡在芯片鈍化層開裂失效分析的應(yīng)用報(bào)告一,、背景介紹在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，芯片鈍化層扮演著至關(guān)重要的角色,。它作為芯片的 “防護(hù)鎧甲”,，覆蓋在芯片表面，隔絕外界環(huán)境中的濕氣,、雜質(zhì)以及機(jī)械應(yīng)力等不利
比表面的工作原理介紹,？比表面的使用方法？比表面多少錢一臺(tái),？比表面使用的注意事項(xiàng)比表面的說明書有嗎,？比表面的操作規(guī)程有嗎？比表面的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎,？比表面有現(xiàn)貨嗎,？比表面包安裝嗎？
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