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檢測(cè)和分析 Si℃ 外延中的表面缺陷和晶體缺陷品牌
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技術(shù)參數(shù):
1)微分干涉鏡頭:532 nm波段光源
2)暗場(chǎng)鏡頭:457nm波段光源
3)PL鏡頭:313波段光源
4)PLX鏡頭:355波段光源
5)自動(dòng)聚焦測(cè)量范圍:+1.5mm
6)XYZ平臺(tái):移動(dòng)范圍550*400*5(XYZ),，重復(fù)定位精度0.1um，測(cè)量精度:±0.5um
7)重復(fù)性:CV<5%
8)致命缺陷測(cè)試準(zhǔn)確性:>95%
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