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半絕緣型單晶襯底
半絕緣型單晶襯底

參考價格

面議

型號

半絕緣型單晶襯底

品牌

晶沐光電

產(chǎn)地

江蘇

樣本

暫無
江陰晶沐光電新材料有限公司

高級會員

|

第1年

|

生產(chǎn)商

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介紹碳化硅襯底是第三代半導體材料,,屬于寬禁帶半導體材料。碳化硅是由C和Si元素按1:1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,,硬度僅次于金剛石,。它具有高硬度、高熱導率,、高擊穿電場等優(yōu)異特性,。

?

應用:在5G基站建設中,用于制作氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)等射頻功率放大器器件,;在衛(wèi)星通信的射頻器件,;可用于制作紫外探測器;在增強現(xiàn)實(AR)衍射光波導中可作為理想的波導材料,;高溫壓力傳感器,、高頻振動傳感器、輻射傳感器等,。

產(chǎn)品規(guī)格書

碳化硅4H-HPSI高純半絕緣型單晶襯底(2~6英寸)

直徑

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

厚度

500μm

500μm

500μm

500μm

表面晶向

{0001} ± 0.2°

主參考面晶向

<11-20>± 5.0?

<1-100>±5°

主參考面長度

16mm

22mm

32.5mm

Notch

次參考面位置

Silicon face up: 90.0? CW from Primary ± 5.0?

N/A

次參考面長度

8mm

11mm

18mm

N/A

電阻率

≥1E7 Ω·cm

正面狀態(tài)

Si-Face:CMP,Ra<0.2nm

反面狀態(tài)

C-Face:Optical Polish,Ra<0.5nm

鐳刻碼面

Back side:C-Face

總厚度偏差TTV

≤10μm

≤15μm

≤15μm

≤15μm

彎曲度BOW

≤25μm

≤25μm

≤30μm

≤40μm

翹曲度WARP

≤30μm

≤35μm

≤40μm

≤60μm

邊緣去除

≤3 mm


?

產(chǎn)品性能表

碳化硅單晶 Silicon carbide

晶體結構

六方晶體

禁帶寬度(eV)

3.26eV

熔點(℃)

2730℃

莫氏硬度(mohs)

9.2

熱導率(W·cm-1·℃-1)

4.9W·cm-1·℃-1

熱膨脹系數(shù)(℃-1)

4.7×10-6

晶格常數(shù)(nm)

a=0.3076 c=0.5048

電子遷移率(cm-2·V-1·s-1

720650c

擊穿電場(MV·cm-1)

3.1

JFM指數(shù)(power)

410

BFM指數(shù)(SW)

290

BHFM指數(shù)(RF)

34

折射率

2.6767~2.6480

介紹碳化硅襯底是第三代半導體材料,,屬于寬禁帶半導體材料。碳化硅是由C和Si元素按1:1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導體材料,,硬度僅次于金剛石,。它具有高硬度、高熱導率,、高擊穿電場等優(yōu)異特性,。

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