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采用電阻加熱和改進的自蔓延高溫合成法,，

合成可用于單晶生長的高純SiC粉料的設(shè)備,。

可提供半定制化服務(wù)

高真空

腔體內(nèi)壁經(jīng)鏡面拋光，減少氣體附著,；

各表面嚴密結(jié)合,，避免產(chǎn)生泄露,；

大抽速泵體，實現(xiàn)快速抽空功能,；

高密封性閥體,，實現(xiàn)長時間的真空保壓。

高精密

高精度數(shù)控加工部件,；

精密傳動部件,；

高品質(zhì)電控系統(tǒng)；

實現(xiàn)運動系統(tǒng)的高精度控制,，重復(fù)定位無偏差,。

全自動

自主開發(fā)系統(tǒng)，實現(xiàn)全自動過程,；

兼容各種工藝操作流程,；

操作權(quán)限分級，減少誤動作,；

自主研發(fā)異地網(wǎng)絡(luò)遠程監(jiān)控SiC操作系統(tǒng)——安全,，可靠，便捷,，實現(xiàn)無人值守遠程控制,。

碳化硅原料合成爐(100~150kg,電阻式) 

晶體尺寸 100 ~ 150kg 

工藝 SHS 

加熱方式 電阻式 

基本參數(shù) 主機尺寸 W3150 x D1850 x H4780mm 

整機重量 約5T 

支持系統(tǒng) 電     源 容    量 280kVA 

電    壓 380VAC±10%, 3P,  50/60Hz 

冷 卻 水 壓    力 0.3 ~ 0.5MPa 

流    量 ＞250L/min 

工藝氣體 壓    力 ＞0.2MPa 

壓縮空氣 壓    力 0.5 ~ 1.0MPa