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碳化硅二極管和碳化硅 MOSFET芯片目前已有產(chǎn)品650V,、900V,、1200V和1700V等各種規(guī)格及客需化定制。隨著**代硅半導(dǎo)體及第二代砷化鎵半導(dǎo)體材料發(fā)展的成熟,，其器件應(yīng)也趨于極限?，F(xiàn)代科技越來越多的領(lǐng)域需要工作頻率高，功率密度高,，耐高溫,，化學(xué)穩(wěn)定性好以及可以在強(qiáng)輻射環(huán)境中工作的材料,，因此第三代半導(dǎo)體(即寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度大于2.2eV)受到了人們的極大關(guān)注,，這些材料包括SiC,，GaN,金剛石等。
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