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電子束曝光指利用聚焦電子束在光刻膠上制造圖形的工藝,是光刻工藝的延伸應用。電子束曝光系統(tǒng)是實現(xiàn)電子束曝光技術的硬件平臺,，系統(tǒng)的性能決定了曝光工藝關鍵尺寸,、拼接和套刻精度等指標。

金竟科技完成了電子束曝光工藝和設備核心部件的技術突破,，率先在中國推出自主創(chuàng)新,、品質可控,、性能優(yōu)異的電子束曝光系統(tǒng)整機設備：Pharos 310。電子束曝光系統(tǒng)中多項關鍵技術指標達到國際一流水平,，實現(xiàn)了電子曝光設備國產(chǎn)替代,、自主可控的發(fā)展目標。

Pharos 310可在4寸基片上曝光<20nm關鍵特征尺寸,。利用Pharos310系統(tǒng)可輕松曝光復雜版圖,，是實驗室條件下進行亞微米至納米級別光刻技術研發(fā)的利器。

電子束曝光系統(tǒng)應用領域

· 半導體制造：用于制造集成電路,、芯片等半導體器件,。

· 納米技術研究：在納米材料、納米器件的研發(fā)中發(fā)揮重要作用,。

· 光學領域：制作光子晶體,、光波導、調制器,、超表面等光學元件,。

· MEMS（微機電系統(tǒng)）：制造納米結構等。

· 生物芯片：用于生物芯片的制作,。

· 材料科學：研究材料的表面性質,、結構等。

· 量子技術：在量子計算,、量子通信等領域的研究和開發(fā)中得到應用。

電子光學參數(shù)

· 電子發(fā)射源：采用肖特基發(fā)射源,，使用壽命不低于1500小時

· 加速電壓：200eV-30 keV

· 電子束束流：5pA-200nA

· 電子束束斑尺寸：≤2.0nm@30keV

· 寫場速度：**可達到20MHz pixel frequency

· **寫場尺寸：500μm×500μm

· 分辨率(*小線寬)：≤20nm*

· 拼接精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 套刻精度：≤±50nm(mean+3σ)

· 樣品臺移動范圍：100mm

· 可加工樣品的**尺寸：4英寸晶圓

標準配置

· 采用激光干涉儀定位樣品臺

· 由送樣開始至樣品室真空達到可以工作的時間不多于10分鐘

· 采用自動進樣系統(tǒng),進樣過程中無需人為干涉,配置有光學導航系統(tǒng)

· 采用Windows操控系統(tǒng),，在硬件允許的情況下，終身免費升級

· 提供 UPS 不間斷電源(一臺)

· 具備主動-被動集成式減振系統(tǒng),保證電子束曝光系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性,。

*工藝：光刻膠PMMA950KA2,；光刻膠厚度60nm