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碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ組元素中**的穩(wěn)定固態(tài)化合物, 是一種重要的半導(dǎo)體材料。 它具有優(yōu)良的熱學(xué),、力學(xué),、化學(xué)和電學(xué)性質(zhì), 不僅是制作高溫、高頻,、大功率電子器件的優(yōu)質(zhì)材料之一,，也可以用作基于GaN的藍(lán)色發(fā)光二極管的襯底材料。目前用于襯底的碳化硅以4H為主,，導(dǎo)電類型分為半絕緣型（非摻,、摻雜）與N型。

常用規(guī)格：

4H-N型碳化硅晶片

尺寸：2英寸直徑50.8mm  |  4英寸直徑100mm  |  6英寸直徑150mm

晶向：off axis 4.0? toward <1120> ± 0.5?

電阻率：<0.1 ohm.cm

表面粗糙度：Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm

4H-半絕緣型碳化硅晶片

尺寸：2英寸直徑50.8mm  |  4英寸直徑100mm  |  6英寸直徑150mm

晶向：on axis {0001} ± 0.25?

電阻率：>1E5 ohm.cm

表面粗糙度：Si面 CMP Ra <0.5nm, C面 Ra <1 nm

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