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Sapphire品牌
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江蘇樣本
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在1992年日本工程師中村修二劃時代地利用藍寶石基板制備了GaN外延層并順利實現(xiàn)藍光LED制作之后,藍綠光LED實現(xiàn)了井噴式的大爆發(fā),藍寶石晶體化學(xué)成分為氧化鋁,,晶體結(jié)構(gòu)為六方晶格,,其具有超高的硬度,在高溫下物理,、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,,光學(xué)性能優(yōu)秀,逐漸成為藍綠光LED的主流選擇,。
常規(guī)的氮化鎵(GaN)是在藍寶石的極性面C面<0001>上生長的,。C面藍寶石存在較強的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面因極化效應(yīng)而產(chǎn)生高密度和高遷移率二維電子氣(2-DEG),,這有利于GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)的性能,,但這種極化效應(yīng)對光電器件卻危害較大:極化引起的內(nèi)建電場使能帶彎曲、傾斜,,能級位發(fā)生變化,,強大的極化電場使正負載流子在空間上分離,電子與空穴波函數(shù)的交迭變小,,材料的發(fā)光效率大大降低,,發(fā)光波長也會出現(xiàn)紅移現(xiàn)象。
在A<11-20>,,M<1-100>,,R<1-102>面藍寶石襯底上生長得到的GaN分別為極性<0001>,半極性<1122>和非極性<1120>取向的晶體,,半極性,、無極性氮化鎵材料在LED器件droop效應(yīng)、波長偏移和長波長波段效率等方面有不錯的表現(xiàn),,但結(jié)晶質(zhì)量較差,,位錯密度很高。研究表明,,通過高溫AlN成核層和較高的AlGaN生長溫度,,或使用Al組分逐次降低的多層AlGaN作為緩沖層能夠有效地改善半極性AlGaN材料的晶體質(zhì)量,另外Si 摻雜能夠有效地改善分別在A面和M面藍寶石襯底上生長的極性和半極性AlGaN薄膜的晶體質(zhì)量,。
常用規(guī)格:
C面藍寶石襯底 | A面藍寶石襯底 | R面藍寶石襯底 | M面藍寶石襯底
C面斜切角度 藍寶石襯底
尺寸:2英寸直徑50.8mm厚度0.43mm | 4英寸直徑100mm厚度0.65mm | 6英寸直徑150mm厚度1.0mm
拋光:單面拋光 | 雙面拋光
粗糙度 Ra:<0.3nm(CMP)
全平面厚度差 TTV:<10um
熱點應(yīng)用:藍寶石鍵合片 用于砷化鎵晶圓的減薄,、拋光工藝
傳統(tǒng)砷化鎵晶圓減薄工藝由于設(shè)備施加重量和壓強,減薄過程中易造成晶圓碎裂,,或表面應(yīng)力累計形成卷曲,,產(chǎn)品性能嚴重損失,減薄用金屬磨盤易產(chǎn)生金屬污染,,晶圓粘附劑,、化學(xué)磨削液易引入污染,。
新的減薄工藝在高溫條件下將藍寶石晶片(直徑略大于目標晶圓)作為載片與砷化鎵晶圓鍵合,將砷化鎵/藍寶石鍵合片粘附于陶瓷磨盤,,通過特制夾具對其進行減薄、拋光處理,,完成后置于高溫洗劑中融化,,使藍寶石和砷化鎵晶圓分離。
新的減薄工藝可用于包括砷化鎵及各種半導(dǎo)體晶圓的減薄加工,,載片材質(zhì)可選擇藍寶石,、玻璃等拋光晶片,藍寶石因其優(yōu)越的物理化學(xué)性質(zhì)及晶體結(jié)構(gòu),,目前是主流的載片選擇,,我司推出的藍寶石載片,尺寸匹配行業(yè)標準減薄設(shè)備要求,,4英寸采用直徑104mm,,6英寸采用直徑156mm或159mm,略大于標準4英寸,、6英寸晶圓,,拋光面粗糙度Ra<0.5nm,超高的平整度的藍寶石載片可以更好的控制半導(dǎo)體晶圓的減薄精度,,減薄加工時不宜碎裂,。
藍寶石(直徑略大于目標晶圓)作為載片與砷化鎵晶圓鍵合 鍵合片粘附于陶瓷磨盤
常用藍寶石載片規(guī)格:
4英寸藍寶石鍵合片(雙面拋光)
直徑:直徑104mm
粗糙度 Ra:<0.5nm(雙面CMP拋光)
全平面厚度差 TTV:<5um
6英寸藍寶石鍵合片(雙面拋光)
直徑:直徑156mm/159mm
粗糙度 Ra:<0.5nm(雙面CMP拋光)
全平面厚度差 TTV:<5um/<1um
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