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藍(lán)寶石 (Sapphire)
藍(lán)寶石 (Sapphire)

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

Sapphire

品牌

產(chǎn)地

江蘇

樣本

暫無(wú)
江陰皓睿光電新材料有限公司

高級(jí)會(huì)員

|

第1年

|

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1992年日本工程師中村修二劃時(shí)代地利用藍(lán)寶石基板制備了GaN外延層并順利實(shí)現(xiàn)藍(lán)光LED制作之后,,藍(lán)綠光LED實(shí)現(xiàn)了井噴式的大爆發(fā),藍(lán)寶石晶體化學(xué)成分為氧化鋁,,晶體結(jié)構(gòu)為六方晶格,,其具有超高的硬度,在高溫下物理,、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,光學(xué)性能優(yōu)秀,,逐漸成為藍(lán)綠光LED的主流選擇,。

             

常規(guī)的氮化鎵(GaN)是在藍(lán)寶石的極性面C<0001>上生長(zhǎng)的。C面藍(lán)寶石存在較強(qiáng)的極化效應(yīng),,AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)界面因極化效應(yīng)而產(chǎn)生高密度和高遷移率二維電子氣(2-DEG),,這有利于GaN基高電子遷移率晶體管(HEMT)的性能,但這種極化效應(yīng)對(duì)光電器件卻危害較大:極化引起的內(nèi)建電場(chǎng)使能帶彎曲,、傾斜,,能級(jí)位發(fā)生變化,強(qiáng)大的極化電場(chǎng)使正負(fù)載流子在空間上分離,,電子與空穴波函數(shù)的交迭變小,,材料的發(fā)光效率大大降低,發(fā)光波長(zhǎng)也會(huì)出現(xiàn)紅移現(xiàn)象,。


A<11-20>,,M<1-100>R<1-102>面藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)得到的GaN分別為極性<0001>,,半極性<1122>和非極性<1120>取向的晶體,,半極性、無(wú)極性氮化鎵材料在LED器件droop效應(yīng),、波長(zhǎng)偏移和長(zhǎng)波長(zhǎng)波段效率等方面有不錯(cuò)的表現(xiàn),,但結(jié)晶質(zhì)量較差,位錯(cuò)密度很高,。研究表明,,通過(guò)高溫AlN成核層和較高的AlGaN生長(zhǎng)溫度,或使用Al組分逐次降低的多層AlGaN作為緩沖層能夠有效地改善半極性AlGaN材料的晶體質(zhì)量,,另外Si 摻雜能夠有效地改善分別在A面和M面藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的極性和半極性AlGaN薄膜的晶體質(zhì)量,。

 

常用規(guī)格 


C面藍(lán)寶石襯底  |  A面藍(lán)寶石襯底  | R面藍(lán)寶石襯底  | M面藍(lán)寶石襯底 

C面斜切角度 藍(lán)寶石襯底

尺寸2英寸直徑50.8mm厚度0.43mm  |  4英寸直徑100mm厚度0.65mm  |  6英寸直徑150mm厚度1.0mm

拋光:?jiǎn)蚊鎾伖?/span>  |  雙面拋光

粗糙度 Ra<0.3nmCMP

全平面厚度差 TTV<10um



熱點(diǎn)應(yīng)用:藍(lán)寶石鍵合片 用于砷化鎵晶圓的減薄,、拋光工藝

             

傳統(tǒng)砷化鎵晶圓減薄工藝由于設(shè)備施加重量和壓強(qiáng),減薄過(guò)程中易造成晶圓碎裂,,或表面應(yīng)力累計(jì)形成卷曲,,產(chǎn)品性能嚴(yán)重?fù)p失,減薄用金屬磨盤易產(chǎn)生金屬污染,,晶圓粘附劑,、化學(xué)磨削液易引入污染。

新的減薄工藝在高溫條件下將藍(lán)寶石晶片(直徑略大于目標(biāo)晶圓)作為載片與砷化鎵晶圓鍵合,,將砷化鎵/藍(lán)寶石鍵合片粘附于陶瓷磨盤,,通過(guò)特制夾具對(duì)其進(jìn)行減薄、拋光處理,,完成后置于高溫洗劑中融化,,使藍(lán)寶石和砷化鎵晶圓分離。

新的減薄工藝可用于包括砷化鎵及各種半導(dǎo)體晶圓的減薄加工,,載片材質(zhì)可選擇藍(lán)寶石,、玻璃等拋光晶片,藍(lán)寶石因其優(yōu)越的物理化學(xué)性質(zhì)及晶體結(jié)構(gòu),,目前是主流的載片選擇,,我司推出的藍(lán)寶石載片,尺寸匹配行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)減薄設(shè)備要求,,4英寸采用直徑104mm,,6英寸采用直徑156mm或159mm,略大于標(biāo)準(zhǔn)4英寸,、6英寸晶圓,,拋光面粗糙度Ra<0.5nm,超高的平整度的藍(lán)寶石載片可以更好的控制半導(dǎo)體晶圓的減薄精度,,減薄加工時(shí)不宜碎裂,。


                        

藍(lán)寶石(直徑略大于目標(biāo)晶圓)作為載片與砷化鎵晶圓鍵合                           鍵合片粘附于陶瓷磨盤


常用藍(lán)寶石載片規(guī)格 


4英寸藍(lán)寶石鍵合片(雙面拋光)

直徑直徑104mm

粗糙度 Ra<0.5nm(雙面CMP拋光)

全平面厚度差 TTV<5um


6英寸藍(lán)寶石鍵合片(雙面拋光)

直徑直徑156mm/159mm

粗糙度 Ra<0.5nm(雙面CMP拋光)

全平面厚度差 TTV<5um/<1um




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10分

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10分

易用性

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性價(jià)比

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