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HASUC帶基片預(yù)處理系統(tǒng)真空烤箱HMDS
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上海和呈儀器制造有限公司

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在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),,涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,涂膠工藝也顯得尤為重要,。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,,尤其是正膠,,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條,、浮膠等,,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕,。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況,。

產(chǎn)品型號:HMDS-6210

產(chǎn)品名稱:真空烘箱(帶基片預(yù)處理系統(tǒng))

電源電壓:AC 380V±10%/50Hz±2%

輸入功率:4000W

控溫范圍:室溫+10℃-250℃

溫度分辨率:0.1℃

溫度波動度:±0.5℃

達到真空度:133Pa

容積:210L

工作室尺寸(mm):560*640*600

外形尺寸(mm):720*820*1750

載物托架:3塊

時間單位:分鐘

真空泵:國內(nèi)好品牌,上海慕鴻型號:DM-4,,旋片式油泵,。

產(chǎn)品特點:

1、機外殼采用醫(yī)用級不銹鋼316L材質(zhì)制造,,內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成,;加熱器均勻分布在內(nèi)膽外壁四周,內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置,。鋼化,、防彈雙層玻璃門觀察工作室內(nèi)物體一目了然,。

2、箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),,整體成型的硅橡膠門封圈,,確保箱內(nèi)高真空度。

3,、微電腦智能控溫儀,具有設(shè)定,,測定溫度雙數(shù)字顯示和PID自整定功能,,控溫精確,可靠,。

4,、智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序,溫度,,真空度及每一程序時間,。

5、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設(shè)計,,真空箱密封性能佳,,確保HMDS氣體無外漏顧慮。

6,、整個系統(tǒng)采用優(yōu)質(zhì)材料制造,,無發(fā)塵材料,適用100 級光刻間凈化環(huán)境,。

HMDS預(yù)處理系統(tǒng)的必要性:

在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,,光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,,涂膠工藝也顯得尤為重要,。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,,容易造成漂條,、浮膠等,導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗,,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕,。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS涂到硅片表面后,,經(jīng)烘箱加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物,。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?,其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合,起著偶聯(lián)劑的作用,。

HMDS-6000系列預(yù)處理系統(tǒng)的原理:

HMDS-6000 預(yù)處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預(yù)處理過程的工作溫度,、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片,、基片表面均勻涂布一層HMDS,,降低了HMDS處理后的硅片接觸角,降低了光刻膠的用量,,提高光刻膠與硅片的黏附性,。

HMDS-6000系列預(yù)處理系統(tǒng)的一般工作流程:

首先確定烘箱工作溫度。典型的預(yù)處理程序為:打開真空泵抽真空,,待腔內(nèi)真牢度達到某一高真空度后,,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,,冉次進行抽真空,、充入氮氣的過程,到達設(shè)定的充入氮氣次數(shù)后,,開始保持一段時間,,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分,。然后再次開始抽真空,,充入HMDS氣體,在到達設(shè)定時間后,,停止充入HMDS藥液,,進入保持階段,使硅片充分與HMDS反應(yīng),。當(dāng)達到設(shè)定的保持時間后,,再次開始抽真空。充入氮氣,,完成整個作業(yè)過程,。HMDS與硅片反應(yīng)機理如圖:首先加熱到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,,然后HMDS與表面的OH一反應(yīng),,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,,從而使極性表面變成非極性表面,。整個反應(yīng)持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應(yīng)。

尾氣排放:多余的HMDS蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,,排放到專用廢氣收集管道,。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理,。

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