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在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的,，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠,，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,，容易造成漂條,、浮膠等，導致光刻圖形轉移的失敗,，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕,。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。

產(chǎn)品技術參數(shù)：

電源電壓：AC 380V±10%/50Hz±2%

輸入功率：4000W

控溫范圍：室溫+10℃-250℃

溫度分辨率：0.1℃

溫度波動度：±0.5℃

達到真空度：133Pa

容積：210L

工作室尺寸（mm）：560*640*600

外形尺寸（mm）：720*820*1750

載物托架：3塊

時間單位：分鐘

真空泵：國內(nèi)品牌,，上海慕鴻型號：DM-4,，旋片式油泵,。

產(chǎn)品特點：

1、機外殼采用醫(yī)用級不銹鋼316L材質(zhì)制造,，內(nèi)膽為不銹鋼316L材料制成,；加熱器均勻分布在內(nèi)膽外壁四周，內(nèi)膽內(nèi)無任何電氣配件及易燃易爆裝置,。鋼化,、防彈雙層玻璃門觀察工作室內(nèi)物體一目了然,。

2、箱門閉合松緊能調(diào)節(jié),，整體成型的硅橡膠門封圈,，確保箱內(nèi)高真空度。

3,、微電腦智能控溫儀,，具有設定,，測定溫度雙數(shù)字顯示和PID自整定功能，控溫精確,，可靠,。

4,、智能化觸摸屏控制系統(tǒng)配套日本三菱PLC模塊可供用戶根據(jù)不同制程條件改變程序，溫度,，真空度及每一程序時間。

5,、HMDS氣體密閉式自動吸取添加設計,，真空箱密封性能佳，確保HMDS氣體無外漏顧慮,。

6,、整個系統(tǒng)采用優(yōu)質(zhì)材料制造,，無發(fā)塵材料，適用100 級光刻間凈化環(huán)境,。

HMDS預處理系統(tǒng)的必要性：

在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量,，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,，尤其是正膠,，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條,、浮膠等,，導致光刻圖形轉移的失敗,，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況,。將HMDS涂到硅片表面后,，經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?，其疏水基可很好地與光刻膠結合,，起著偶聯(lián)劑的作用,。

HMDS-6000系列預處理系統(tǒng)的原理：

HMDS-6000 預處理系統(tǒng)通過對烘箱HMDS預處理過程的工作溫度,、處理時間、處理時保持時間等參數(shù)可以在硅片,、基片表面均勻涂布一層HMDS,，降低了HMDS處理后的硅片接觸角，降低了光刻膠的用量,，提高光刻膠與硅片的黏附性,。

HMDS-6000系列預處理系統(tǒng)的一般工作流程：

首先確定烘箱工作溫度,。典型的預處理程序為：打開真空泵抽真空，待腔內(nèi)真牢度達到某一高真空度后,，開始充人氮氣,，充到達到某低真空度后，冉次進行抽真空,、充入氮氣的過程,，到達設定的充入氮氣次數(shù)后,，開始保持一段時間，使硅片充分受熱,，減少硅片表面的水分,。然后再次開始抽真空，充入HMDS氣體,，在到達設定時間后,，停止充入HMDS藥液，進入保持階段,，使硅片充分與HMDS反應。當達到設定的保持時間后,，再次開始抽真空,。充入氮氣，完成整個作業(yè)過程,。HMDS與硅片反應機理如圖：首先加熱到100℃-200℃,，去除硅片表面的水分,，然后HMDS與表面的OH一反應,，在硅片表而生成硅醚，消除氫鍵作,，從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續(xù)到空間位阻(三甲基硅烷基較大)阻止其進一步反應,。

尾氣排放：多余的HMDS蒸汽（尾氣）將由真空泵抽出,，排放到專用廢氣收集管道。在無專用廢氣收集管道時需做專門處理,。