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薄膜熱應(yīng)力測試系統(tǒng)（TST ）

薄膜熱應(yīng)力測試系統(tǒng),，采用測量光學(xué)設(shè)計(jì) MOS 傳感器,，MOS 傳感器榮獲美國**，可快速準(zhǔn)確地測量薄膜的曲率,、應(yīng)力強(qiáng)度,、隨溫度變化的曲線關(guān)系等。

產(chǎn)品特點(diǎn)

獲得美國**技術(shù)的 MOS 多光束技術(shù)（二維激光陣列）

采用真空和低壓氣體保護(hù),，可進(jìn)行溫度范圍-100~1200°C（多種溫度范圍可選）的變溫測量

樣品快速熱處理和冷處理功能

溫度閉環(huán)控制保證**的溫度均勻性和精度

實(shí)時(shí)的應(yīng)力,、曲率 VS 溫度曲線

程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描,、全面積掃描

成像功能：樣品表面 2D 曲率成像,，定量薄膜應(yīng)力成像分析

測量功能：曲率、曲率半徑,、薄膜應(yīng)力,、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等

氣體（氮?dú)狻鍤夂脱鯕獾龋〥elivery 系統(tǒng)

可采用泵入液氮冷卻,，**冷卻速率 100°C/min

技術(shù)原理

本測試系統(tǒng)采用非接觸 MOS 激光技術(shù),；不但可以對(duì)薄膜的應(yīng)力、表面曲率和翹曲進(jìn)行精確的

測量,，而且還可二維應(yīng)力 Mapping 成像統(tǒng)計(jì)分析,；同時(shí)可精確測量應(yīng)力、曲率隨溫度變化的關(guān)系,。

激光部分和檢測器固定在同一框架上,，這種設(shè)計(jì)始終保證所有陣列的激光光點(diǎn)始終在同一頻率

運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效避免了外界振動(dòng)對(duì)測試結(jié)果的影響,；同時(shí)大大提高測試的分辨率,；適合各種

材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析。

技術(shù)參數(shù)

溫度范圍 -100~1200°C( 多種溫度范圍可選)

溫度速率 加熱 >10°C/秒

冷卻

600°C，** 50°C/分鐘

400°C 到室溫,， ** 5°C/分鐘 （可擴(kuò)展更快的升溫和降溫速率）

溫度均勻性 ± 2 °C

溫度穩(wěn)定性 ± 1 %

平均傾斜重復(fù)性 < 1μrad

平均曲率重復(fù)性 < 2×10E -5 1/m

應(yīng)力測量范圍 幾十 KPa ~ 幾十 GPa

空間掃描分辨率 高達(dá) 1μm

（用戶可調(diào)）

曲率分辨率 室溫 100Km,，高溫 20Km

實(shí)時(shí)熱應(yīng)力測量分析 30 點(diǎn)/秒

真空腔室真空度 10 mTorr

測量基片尺寸 標(biāo)配 200mm（100mm 和 300mm 可選）

應(yīng)用

本測試系統(tǒng)現(xiàn)在用于全球科研或者生產(chǎn)企業(yè)中薄膜原位應(yīng)力監(jiān)測和控制。

應(yīng)用于金屬薄膜,，介電薄膜,、濾光片膜、平板玻璃,、300mm 半導(dǎo)體集成電路板,、薄膜電池、

MBE 和 MOCVD 薄膜制備和退火過程的熱應(yīng)力監(jiān)控等領(lǐng)域,。