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SilcoNert®2000
SilcoNert®2000

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SilcoNert®2000(6,,444,326和6,,511,,760)是非晶硅的化學(xué)保護(hù)屏障,其進(jìn)一步官能化以提供可用的*惰性表面,。通過應(yīng)用化學(xué)氣相沉積(CVD),,SilcoNert®2000非常適用于硫化物,汞,,氨或其他活性化合物的痕量級測試精度(<百萬分之一),。

特色與優(yōu)勢

? 非視距工藝;所有孔和復(fù)雜的幾何形狀都能被涂層

? 消除吸附和再測試

? 獲得更快的校準(zhǔn)

? 對結(jié)果充滿信心

SilcoNert®2000 規(guī)格

薄膜材質(zhì):表面烴化的氫化非晶硅

鍍膜工藝:熱化學(xué)氣相沉積法(非等離子法)

使用溫度450°C(惰性氣體),,400°C(氧化性氣體)

基板要求:兼容性:不銹鋼合金,,陶瓷,玻璃,,鈦及大多數(shù)特殊金屬

尺寸:不超過78英寸(198厘米)

形狀:不限,,可鍍?nèi)魏螐?fù)雜三維結(jié)構(gòu)

標(biāo)準(zhǔn)厚度:100 - 500 nm

疏水性(接觸角):>= 65°

允許接觸的pH值 :0 - 8

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