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PVT碳化硅SiC單晶爐主要用于6英寸碳化硅SiC單晶材料的生長(zhǎng)，碳化硅具有高臨界擊穿電場(chǎng),、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì),，是制造高壓、高溫,、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料,，也是目前綜合性能**、商品化程度**,、技術(shù)*成熟的第三代半導(dǎo)體材料,。
第三代功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)在智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車(chē),、軌道交通,、新能源并網(wǎng)、開(kāi)關(guān)電源,、工業(yè)電機(jī)以及家用電器等領(lǐng)域得到應(yīng)用,，并展現(xiàn)出良好的發(fā)展前景。國(guó)際**企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始部署市場(chǎng),，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級(jí)已經(jīng)開(kāi)始,，正在逐漸進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代,。
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寧波恒普真空股份有限公司擬首次公開(kāi)發(fā)行股票接受上市輔導(dǎo)公告以下為恒普真空股份有限公司擬首次公開(kāi)發(fā)行股票接受上市輔導(dǎo)的公告關(guān)于公司基本情況備案表
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