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PVT碳化硅SiC單晶爐主要用于6英寸碳化硅SiC單晶材料的生長，碳化硅具有高臨界擊穿電場,、高電子遷移率的優(yōu)勢,，是制造高壓、高溫,、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料,，也是目前綜合性能**、商品化程度**,、技術*成熟的第三代半導體材料,。
第三代功率半導體器件已經(jīng)在智能電網(wǎng)、電動汽車,、軌道交通,、新能源并網(wǎng)、開關電源,、工業(yè)電機以及家用電器等領域得到應用,，并展現(xiàn)出良好的發(fā)展前景,。國際**企業(yè)已經(jīng)開始部署市場，全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始,，正在逐漸進入第三代半導體時代,。
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