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型號 | EVAP400S | |
主真空室 | 方形前開門結(jié)構(gòu),，尺寸L×W×H:400×400×450mm | |
進(jìn)樣室(選配) | 開門結(jié)構(gòu),，尺寸約為?200 X 300mm | |
真空系統(tǒng)配置 | 主真空室 | 復(fù)合分子泵、機(jī)械泵,、氣動閘板閥 |
進(jìn)樣室 | 機(jī)械泵,、分子泵、閥門 | |
極限壓力 | 主真空室 | ≤6. 67x10-5pa(經(jīng)烘烤除氣后） |
進(jìn)樣室 | ≤6.67X10-4 pa(經(jīng)烘烤除氣后） | |
恢復(fù)真空時間 | 主真空室 | 30分鐘可達(dá)到6. 6x10-4 pa(系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣） |
進(jìn)樣室 | 30分鐘可達(dá)到6. 6x10-3 Pa (系統(tǒng)短時間暴露大氣并充干燥氮?dú)忾_始抽氣） | |
磁控靶組件 | 2-4套永磁靶,；靶材尺寸?60mm (其中一個可濺射磁性材料）,；各靶射頻濺射和直流濺射兼容；靶內(nèi)水冷,；三個靶可共同折向上面的樣品中心,；靶與樣品距離90~110mm可調(diào)；每個靶配氣動擋板,。 | |
基片加熱臺 | 樣品尺寸 | ?3英寸 |
運(yùn)動方式 | 基片可連續(xù)回轉(zhuǎn),，轉(zhuǎn)速0-30rpm | |
加熱 | 基片加熱**溫度600℃±1℃ | |
擋板形式 | 進(jìn)口SMC轉(zhuǎn)角氣缸控制 | |
工藝氣路系統(tǒng) | 質(zhì)量流量控制器2-4路 | |
*可選部件 | 進(jìn)樣室磁控靶組件 | 永磁靶，靶材尺寸? 60mm,。 |
膜厚儀 | 國產(chǎn)/進(jìn)口 | |
靜音氣泵 | 無油潤滑 | |
計算機(jī)控制系統(tǒng) | 自動控制,、工藝讀入、參數(shù)設(shè)置,、實(shí)時監(jiān)控等功能 | |
設(shè)備占地面積 | 主機(jī) | 1800X1200mm2 |
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