編號：NMJS03120
篇名：Au摻雜硅納米線的穩(wěn)定性和電子結(jié)構(gòu)
作者：梁偉華,； 王秀麗,； 丁學(xué)成； 褚立志,； 鄧澤超,； 傅廣生,； 王英龍；
關(guān)鍵詞：硅納米線,； 第一性原理,； 摻雜方式； 形成能,； 態(tài)密度,； 磁性,；
機構(gòu)： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院；
摘要： 采用基于密度泛函理論的第一性原理的方法,對Au摻雜[100]方向氧鈍化硅納米線(SiNWs)不同位置的形成能,、能帶結(jié)構(gòu),、態(tài)密度及磁性進行了計算,考慮了Au占據(jù)硅納米線的替代、四面體間隙和六角形間隙的不同位置.結(jié)果表明:Au偏愛硅納米線中心的替代位置.Au摻雜后的硅納米線引入了雜質(zhì)能級,禁帶寬度變窄.對于Au替代摻雜,雜質(zhì)能級主要來源于Au的d,、p態(tài)和Si的p態(tài),由于Au的d態(tài)和Si的p態(tài)的耦合,Au摻雜硅納米線具有鐵磁性.對于間隙摻雜,雜質(zhì)能級主要求源于Au的s態(tài),是非磁性的.另外,根據(jù)原子軌道和電子填充模型分析了其電子結(jié)構(gòu)和磁性.
