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碳化硅納米晶須的制備及熱穩(wěn)定性研究

編號:NMJS03027

篇名:碳化硅納米晶須的制備及熱穩(wěn)定性研究

作者:石強(qiáng),; 陳建軍,; 劉羿君;

關(guān)鍵詞:碳化硅; 納米晶須,; 形貌; 熱穩(wěn)定性,;

機(jī)構(gòu): 浙江理工大學(xué)先進(jìn)紡織材料與制備技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,; 浙江理工大學(xué)材料工程中心;

摘要: 以石墨粉和硅粉為原料,在1 550℃下,采用碳熱還原法制得碳化硅納米晶須,。X射線衍射(XRD)和場發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)表明,產(chǎn)物主要由3C-SiC納米晶須和顆粒組成,晶須直徑為100~150 nm,長度為5~15μm,。在空氣氣氛中的熱重分析(TGA)實(shí)驗(yàn)顯示,溫度高于400℃時(shí),產(chǎn)物質(zhì)量逐漸增加,溫度至800℃時(shí)質(zhì)量增加了約1%,增重現(xiàn)象為SiC納米晶須的氧化所致。產(chǎn)物經(jīng)1 100℃氧化后的XRD表明,SiC被部分氧化生成了無定形二氧化硅,�,?諝鈿夥罩�,產(chǎn)物在700、9001,、100℃的熱穩(wěn)定性實(shí)驗(yàn)表明,在1 100℃時(shí),SiC納米晶須形貌發(fā)生了較大變化,其表面出現(xiàn)熔融并粘連在一起,。高溫下的氧化反應(yīng)是導(dǎo)致晶須形貌變化的主要原因。

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