編號：CPJS01500
篇名：石墨表面化學氣相沉積SiC及C涂層的制備
作者：王春雨,； 王鑫宇,； 唐才宇； 溫廣武,；
關鍵詞：化學氣相沉積(CVD),； 石墨基體,； C涂層； SiC涂層,； 顯微組織,；
機構： 哈爾濱工業(yè)大學(威海)材料科學與工程學院；
摘要： 以C3H8和CH3SiCl3(MTS)為先驅體原料,用化學氣相沉積法在石墨基體表面分別制備了C涂層,、SiC涂層,。采用X射線衍射儀和掃描電鏡分析了兩種涂層的成分和表面微觀形貌,研究了溫度和氣體流量對涂層微觀形貌的影響。結果表明,當C3H8+N2流量為140 L/h,沉積溫度為1300℃時,石墨基體表面可獲得致密度較高的C涂層,而且涂層比較平整,、均勻,而流量為160 L/h時涂層比較粗糙,。當MTS+H2流量為60 L/h、沉積溫度1100℃時在石墨基體表面可以形成致密的SiC涂層,1300℃時生長的SiC晶體形貌發(fā)生改變,涂層厚度增加,表面有較多圓形凸起,。當MTS-H2氣體流量增大可使SiC涂層晶粒尺寸增大,但大流量易產生涂層剝落,。采用C和SiC共沉積涂層作過渡層,涂層與石墨基體界面結合增強;SiC涂層與石墨基體之間存在厚度較大的過渡區(qū)域,過渡區(qū)域平均厚度約2μm。
