編號：CPJS01494
篇名：應用于等離子體顯示器的鋁電極及其介質層制備研究
作者：劉啟發(fā),； 王艷,； 汪紅,； 丁桂甫,；
關鍵詞：等離子體顯示器,； 尋址電極,； 氧化鋁介質層,； 磁控濺射,； 陽極氧化
機構： 上海交通大學微納科學技術研究院微米/納米加工技術國家級重點實驗室薄膜與微細技術教育部重點實驗室,；
摘要： 提出用鋁取代銀作為尋址電極,氧化鋁取代玻璃粉作為其上介質層的新型等離子體顯示器(PDP)電極單元,對單項工藝進行了優(yōu)化,并形成了完整可行的整體工藝路線,有望為PDP生產成本的降低提供一條新的技術途徑,。選用非連續(xù)磁控濺射和光刻-刻蝕工藝制備鋁電極,陽極氧化工藝制備氧化鋁介質層。用掃描電子顯微鏡對鋁膜,、氧化鋁介質層及電極單元的整體形貌進行了表征;分別對所制備的鋁電極的導電性能和氧化鋁介質層的耐擊穿性能進行了測定,結果表明在優(yōu)化的實驗條件下鋁電極電阻率可以達到5.0×10-8Ω·m,氧化鋁耐擊穿強度大于100 V/μm,完全可以滿足實際應用的技術要求,。
