編號：FTJS03151
篇名：KH-550硅烷偶聯(lián)劑對半導體制造用碳化硅粉體表面的改性研究
作者：李星； 鐵生年,；
關(guān)鍵詞：碳化硅,； 表面改性； 硅烷偶聯(lián)劑,； 分散性,；
機構(gòu)： 青海大學非金屬材料研究所；
摘要： 采用KH-550硅烷偶聯(lián)劑對SiC粉體進行改性,研究了影響SiC粉體改性的各種因素,從而確定出改性最佳工藝參數(shù),并對制備的改性粉體進行表征,分析了改性對SiC料漿分散穩(wěn)定性的影響,。結(jié)果表明,SiC微粉經(jīng)偶聯(lián)劑處理后沒有改變原始SiC微粉的物相結(jié)構(gòu),只是改變了其在水中的膠體性質(zhì);微粉團聚現(xiàn)象減少,分散性得到改善;改性SiC微粉與原始SiC微粉相比,表面特性發(fā)生很大變化,Zeta電位值顯著提高,懸浮液的分散穩(wěn)定性得到明顯改善,。
