編號：FTJS03145
篇名：LPCVD制備二氧化硅薄膜工藝研究
作者：王儉峰,； 佟麗英,； 李亞光； 李秀強(qiáng),；
關(guān)鍵詞：TEOS源,； LPCVD,； 淀積速率； 均勻性,；
機(jī)構(gòu)： 中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所,；
摘要： 采用TEOS源LPCVD法制備了SiO2薄膜,采用膜厚儀對薄膜的厚度進(jìn)行測試。通過不同條件下SiO2薄膜的厚度變化,討論了TEOS源溫度,、反應(yīng)壓力及反應(yīng)溫度等工藝條件對淀積速率和均勻性的影響,。結(jié)果表明,在40℃,50 Pa左右,淀積速率隨TEOS源溫度、反應(yīng)壓力基本呈線性增大.通過多次試驗(yàn)改進(jìn),提出了SiO2膜淀積的典型工藝條件,。
