編號：FTJS02961
篇名：Th(Ⅳ)在凹凸棒石表面的吸附機理
作者：潘多強,； 范橋輝,； 丁克非,； 李平,； 路艷； 于濤,； 許江,； 吳王鎖；
關(guān)鍵詞：凹凸棒石,； Th(IV),； 胡敏酸； 吸附,； 解吸； 表面配合,；
機構(gòu)： 蘭州大學核科學與技術(shù)學院放射化學研究所,；
摘要： 采用連續(xù)電位滴定法研究了天然和高溫活化凹凸棒石的表面酸堿和電荷分布性質(zhì),利用表面配位模型和FITEQL3.2程序探討了Th(Ⅳ)在高溫活化前后凹凸棒石上的吸附機理.結(jié)果表明天然凹凸棒石表面主要以離子交換位(≡XNa/K)、強吸附點位(≡SsOH)和弱吸附點位(≡SwOH)為主;而高溫活化凹凸棒石表面則主要以強吸附點位(≡SsOH)和弱吸附點位(≡SwOH)為主.當pH<2.5,Th(Ⅳ)在水溶液中主要以Th4+存在;而當pH>3.0時,Th(Ⅳ)則主要以水解形態(tài)存在(例如Th(OH)22+,Th(OH)3+和Th(OH)40).Th(Ⅳ)在天然凹凸棒石表面上的吸附主要以離子交換作用(≡X2Th)和內(nèi)層配合作用(≡SsOTh)為主,而在高溫活化凹凸棒石表面上則主要形成內(nèi)層配合物(≡SwOTh和≡SsOThOH).胡敏酸(HA)對Th(Ⅳ)在高溫活化凹凸棒石上吸附有一定的促進作用,且使Th(Ⅳ)的吸附機理和種態(tài)發(fā)生明顯的改變(主要以≡SsO-CO-HA-Th和≡SsOTh種態(tài)存在).Th(Ⅳ)在高溫活化凹凸棒石上的吸附是不可逆過程,但當HA存在時,Th(Ⅳ)在高溫活化凹凸棒石上會發(fā)生解吸.
