編號：CPJS01343
篇名：射頻磁控濺射制備Mn摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性能
作者：張歡歡,； 李智,； 苗春雨； 馬春雨； 張慶瑜,；
關(guān)鍵詞：Mn摻雜ZnO薄膜,； 射頻磁控濺射,； 微結(jié)構(gòu),； 光學(xué)特性；
機構(gòu)： 大連理工大學(xué)三束材料改性教育部重點實驗室,； 大連大學(xué)機械工程學(xué)院,；
摘要： 采用反應(yīng)射頻磁控濺射方法制備Zn1-xMnxO薄膜(0≤x≤0.25),并在不同溫度下進行退火處理。通過原子力顯微鏡,、薄膜X射線衍射,、透射電子顯微鏡和透射光譜對薄膜的成分,、表面形貌、微結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)進行了研究,。結(jié)果表明,薄膜結(jié)晶質(zhì)量明顯地依賴于摻雜Mn元素的濃度,所有薄膜都表現(xiàn)了沿(002)晶面方向擇優(yōu)取向生長,當Mn含量為7%時,Mn完全進入ZnO晶格,無納米級第二相析出,當Mn含量超過13%時,會有ZnMnO3雜相析出,。Mn摻雜ZnO薄膜(Zn1-xMnxO,x≈0.07)經(jīng)600～800℃退火處理后,薄膜的光學(xué)帶隙發(fā)生藍移,帶隙能由3.17eV升高到3.27eV,當退火溫度高于700℃時,薄膜中壓應(yīng)力得到釋放。
