編號：CPJS01335
篇名：a-Si∶H/SiO_2多量子阱材料制備及其光學(xué)性能和微結(jié)構(gòu)研究
作者：馬小鳳,； 王懿喆,； 周呈悅,；
關(guān)鍵詞：多量子阱； 量子限制效應(yīng),； 光學(xué)吸收,； 能帶結(jié)構(gòu)；
機構(gòu)： 上海太陽能電池研究與發(fā)展中心,；
摘要： 利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備了a-Si:H/SiO2多量子阱結(jié)構(gòu)材料.對a-Si:H/SiO2多量子阱樣品分別進行了3種不同的熱處理,其中樣品經(jīng)1100℃高溫退火可獲得尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子點超晶格結(jié)構(gòu),其尺寸與非晶硅子層厚度相當(dāng).比較了a-Si:H/SiO2多量子阱材料與相同制備工藝條件下a-Si:H材料的吸收系數(shù),在紫外/可見短波段前者的吸收系數(shù)明顯增大,光學(xué)吸收邊藍移,說明該材料具有明顯的量子尺寸效應(yīng),驗證了采用a-Si:H/SiO2多量子阱結(jié)構(gòu)來提高太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的可行性.另外,尺寸可控的nc-Si:H/SiO2量子點超晶格結(jié)構(gòu)的形成,為納米硅新結(jié)構(gòu)太陽能電池的研究和制備奠定了基礎(chǔ).
