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模板劑去除方法對介孔氧化硅納米球的影響

編號:NMJS02909

篇名:模板劑去除方法對介孔氧化硅納米球的影響

作者:徐虹,; 李延報,; 陸春華,; 李東旭,; 許仲梓,;

關(guān)鍵詞:介孔氧化硅,; 納米球,; 模板劑,;

機構(gòu): 南京工業(yè)大學材料科學與工程學院材料化學工程國家重點實驗室,;

摘要: 以十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)為模板劑,正硅酸四乙酯(TEOS)為硅源,在堿性條件下反應(yīng),分別采用煅燒法和酸化乙醇回流萃取法去除氧化硅中的模板劑,獲得了直徑為100nm分布均勻的六方有序的介孔氧化硅納米球(MSN),。通過熱失重分析(TGA)、透射電子顯微鏡(TEM),、小角度X射線衍射(SAXRD)和氮氣吸附-脫附對MSN中CTAB的殘余量和介孔結(jié)構(gòu)進行了表征,。結(jié)果表明:煅燒法能夠徹底去除模板劑,萃取法只能去除80%左右的模板劑;隨著萃取時間的延長和萃取次數(shù)的增加,MSN的孔徑和孔容有所增加,其中6h回流萃取4次去除模板劑后得到的MSN的比表面積、孔容,、孔徑最大,分別為944.31m2.g-1,、1.89cm3.g-1和2.56nm。

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