編號：NMJS02766
篇名：大氫稀釋逐層法制備納米硅薄膜
作者：王祥,；
關(guān)鍵詞：納米硅薄膜； 等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng),； 逐層法,；
機構(gòu)： 韓山師范學(xué)院；
摘要： 如何制備高密度,、分布可控,、尺寸一致的納米硅量子點,是各種納米器件研究中首先需要解決的問題。在等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD)中,用大氫稀釋逐層淀積技術(shù)在氮化硅表面上自組裝生長高密度,、尺寸均勻的硅量子點結(jié)構(gòu),這種方法充分利用了氫氣等離子體在薄膜淀積中誘導(dǎo)晶化作用和對非晶結(jié)構(gòu)的選擇刻蝕作用,能夠在低襯底溫度的條件下,直接獲得較為理想的納米硅薄膜,。
