編號：NMJS02663
篇名：納米VO_x薄膜在空氣中的電學(xué)特性退化研究
作者：羅振飛； 吳志明,； 許向東,； 王濤； 蔣亞東,；
關(guān)鍵詞：納米VOx薄膜,； 磁控濺射； 電學(xué)特性,； 退化,；
機構(gòu)： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院電子薄膜與集成器件國家重點實驗室；
摘要： 采用射頻磁控濺射法在氮化硅襯底上沉積納米VOx薄膜,利用X射線衍射,、原子力顯微鏡分別對薄膜的結(jié)晶形態(tài)及表面形貌進行表征.研究了納米VOx薄膜在空氣中長時間暴露后的方塊電阻,、熱滯回線等電學(xué)特性的變化情況,并分析這些變化給器件帶來的影響.利用X射線光電子能譜儀,、傅里葉變換紅外光譜儀分析對比新制與久置薄膜的組分及分子結(jié)構(gòu)差異.研究表明,暴露在空氣中的納米VOx薄膜方塊電阻增大是因為低價釩離子被吸附氧原子氧化成5價釩的緣故,熱滯回線形狀發(fā)生變化的原因是由于薄膜原子與吸附原子、官能團成鍵后影響了納米VOx薄膜的分子結(jié)構(gòu).
