編號(hào)：NMJS02655
篇名：強(qiáng)磁場(chǎng)條件制備ZnO納米線研究
作者：申彩霞,； 李梅,； 劉偉,；
關(guān)鍵詞：ZnO； 納米線,； 強(qiáng)磁場(chǎng)；
機(jī)構(gòu)： 清華大學(xué)；
摘要： 采用真空蒸鍍方法制備金屬Zn膜,在不同磁場(chǎng)強(qiáng)度(0T-8T)條件下高溫氧化金屬Zn膜生長(zhǎng)了ZnO納米線,用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察了樣品的表面形貌,用X射線衍射方法(XRD)研究了樣品的晶體結(jié)構(gòu),分析表明磁場(chǎng)對(duì)ZnO納米線的形貌有影響。用室溫光致發(fā)光譜(PL)研究了ZnO納米線的光譜性質(zhì),結(jié)果表明ZnO納米線的綠光發(fā)射與制備樣品時(shí)磁場(chǎng)強(qiáng)度相關(guān),。論文研究表明在磁場(chǎng)條件下制備的ZnO納米線,其形貌和發(fā)光性質(zhì)都受到制備條件的影響。
